[發明專利]LED倒裝結構及倒裝工藝

有效

• 申請號: 201310259843.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103337583A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 李漫鐵;王紹芳;屠孟龍;李揚林
• 申請（專利權）人: 深圳雷曼光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及LED封裝技術領域，特別是涉及一種LED倒裝結構及倒裝工藝。

背景技術

LED光源作為第四代綠色照明光源，目前已經得到廣泛的應用，是工業、生活必不可少的照明工具。

一般的，傳統正裝LED封裝過程主要包括固晶—焊線—封膠三個步驟。常見倒裝LED晶片的共晶金屬層一般為Au/Sn合金。在對倒裝LED晶片進行封裝時，通常是根據倒裝LED晶片電極尺寸，在基板上預先鍍Au/Sn合金層；然后在基板上點助焊劑，將LED晶片固定在基板對應的合金層上；放入回流爐，使合金融化形成共晶焊接接頭。

但是，當采用Au/Sn合金倒裝共晶時，若基板表面片的平整度低，會導致熔融共晶材料不能完全填充界面不平的地方，使LED晶片與基板的結合不穩固，影響LED封裝結構的質量。

發明內容

基于此，有必要針對傳統LED封裝結構和工藝LED晶片與基板的結合不穩固、生產成本和加工成本均較高的問題提供一種LED倒裝結構及工藝。

一種LED倒裝結構，包括：

基板，設有固晶區，所述固晶區的表面設有凹凸部；

焊膏層，涂布于所述固晶區的表面，并覆蓋所述凹凸部；及

LED晶片，設于所述固晶區上，所述LED晶片的P型電極和N型電極分別與所述焊膏層粘接。

在其中一個實施例中，所述凹凸部包括多個壓印凹槽，所述多個壓印凹槽呈矩形分布。

在其中一個實施例中，所述壓印凹槽的形狀為圓形、方形或溝槽形。

在其中一個實施例中，所述固晶區的周緣設有環形凹槽。

在其中一個實施例中，所述凹凸部為微米級粗化處理。

在其中一個實施例中，所述焊膏層的焊膏的熔點為170℃～260℃。

在其中一個實施例中，所述焊膏層為點涂焊膏層或絲網印刷焊膏層。

在其中一個實施例中，所述基板的表面設有焊接金屬層，所述焊接金屬層設置于所述基板與焊膏層之間。

還提供一種LED倒裝工藝。

一種LED倒裝工藝，包括以下步驟：

劃分固晶區；

粗化處理固晶區，使固晶區的表面形成凹凸部；

涂布焊膏，在完成處理的基板固晶區的表面涂布焊膏，形成焊膏層；

固晶，LED晶片倒裝壓合于焊膏層上，電極層與焊膏層粘合；及

焊接，所述完成固晶的LED晶片與基板結構通過回流焊方式進行焊接。

在其中一個實施例中，所述粗化處理為在固晶區的表面通過壓印方式形成多個凹槽。

按照上述LED倒裝工藝制得的LED倒裝結構，通過固晶區的凹凸部增大固晶區的表面積，即增加焊膏層與基板的接觸面積，提高焊膏層與基板界面的結合強度。并且凹凸部有利于界面間的氣體排出，可以減少氣孔形成。

焊膏層替代助焊劑。當焊膏層選用熔點較低的焊膏的時候，則基板上的焊接金屬層無需選用Au/Sn合金，降低成本。并且，LED倒裝結構中，對基板的要求較低，使LED倒裝結構的應用范圍較廣。

附圖說明

圖1為一實施方式的LED倒裝結構的結構圖；

圖2為圖1所示的LED倒裝結構的基板的另一實施方式的結構示意圖；

圖3為圖1所示的LED倒裝結構的基板的另一實施方式的結構示意圖；

圖4為圖1所示的LED倒裝結構的基板的另一實施方式的結構示意圖；

圖5為圖1所示的LED倒裝結構的基板的另一實施方式的結構示意圖；

圖6為一實施方式的LED倒裝工藝的具體流程圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施方式。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發明的公開內容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。