[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置及電子設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310258075.5 | 申請日: | 2013-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN103531599A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丸山俊介 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 趙國榮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 成像 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種固態(tài)成像裝置,包括:
像素基板,在該像素基板中配線層和半導(dǎo)體元件采用能夠耐受形成光電轉(zhuǎn)換層時的溫度的配線材料形成;以及
邏輯基板,在該邏輯基板中形成半導(dǎo)體元件,
其中該像素基板的該配線層側(cè)接合到該邏輯基板的后側(cè),并且,在該光電轉(zhuǎn)換層形成在該像素基板的后側(cè)后,配線層形成在該邏輯基板中,使得該配線層設(shè)置在該像素基板的前側(cè),該光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該像素基板的該后側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置,其中該像素基板的半導(dǎo)體基板被薄化,然后該光電轉(zhuǎn)換層形成在該像素基板的該后側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置,其中該光電轉(zhuǎn)換層通過外延生長形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置,其中該光電轉(zhuǎn)換層由黃銅礦基化合物半導(dǎo)體制造。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置,其中PAD開口形成在光入射表面的相反側(cè)。
6.一種固態(tài)成像裝置,包括:
像素基板,在該像素基板中配線層和半導(dǎo)體元件采用能夠耐受形成光電轉(zhuǎn)換層時的溫度的配線材料形成在半導(dǎo)體基板的前側(cè),然后支撐基板接合到該半導(dǎo)體基板的前側(cè),并且該光電轉(zhuǎn)換層形成在該半導(dǎo)體基板的后側(cè);以及
邏輯基板,與該像素基板分開制造,
其中該像素基板接合到該邏輯基板,使得該像素基板電連接到該邏輯基板,并且該配線層設(shè)置在該像素基板的前側(cè),而該光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該像素基板的后側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置,其中該像素基板的配線側(cè)接合到該邏輯基板的半導(dǎo)體基板側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置,其中該像素基板的配線側(cè)接合到該邏輯基板的配線側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)成像裝置,其中該像素基板的該配線側(cè)接合到該邏輯基板的該配線側(cè),然后該邏輯基板的半導(dǎo)體基板被薄化。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置,其中該支撐基板接合到該邏輯基板的配線側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)成像裝置,其中穿過該支撐基板的連接通孔在該支撐基板接合到該邏輯基板的該配線側(cè)之前形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)成像裝置,其中各向異性導(dǎo)體用作該支撐基板。
13.一種固態(tài)成像裝置,包括:
像素基板,通過在半導(dǎo)體元件形成在半導(dǎo)體基板的前側(cè)之后將支撐基板接合到該半導(dǎo)體基板的前側(cè)且在光電轉(zhuǎn)換層形成在該半導(dǎo)體基板的后側(cè)之后形成配線層而形成,
其中該配線層設(shè)置在該像素基板的前側(cè),并且該光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在該像素基板的后側(cè)。
14.一種電子設(shè)備,包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





