[發(fā)明專利]標準單元版圖的生成方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201310256440.9	申請日：	2013-06-25
公開（公告）號：	CN103310066A	公開（公告）日：	2013-09-18
發(fā)明（設計）人：	吳玉平;劉磊;陳天佐;呂志強	申請（專利權）人：	中國科學院微電子研究所
主分類號：	G06F17/50	分類號：	G06F17/50
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	王寶筠
地址：	100029 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	標準單元版圖生成方法
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【說明書】：

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路設計技術領域，具體涉及一種標準單元版圖的生成方法。

背景技術

隨著集成電路制造工藝的不斷進步，器件的特征尺寸不斷減小，器件的泄漏電流不斷增加，致使整個芯片的功耗從邏輯電平變化的動態(tài)電流引起的功耗占主導地位逐步發(fā)展為靜態(tài)泄漏電流的功耗占主導地位。芯片功耗的上升引起芯片溫度的上升，芯片溫度的上升引起泄漏電流呈指數上升，進而引起芯片功耗的上升，如此循環(huán)，導致芯片功耗較大。

集成電路不斷向小型化方向發(fā)展，要求芯片必須滿足低功耗。現有的低功耗設計技術主要是多閾值邏輯門和功率控制電路等。其中，多閾值邏輯門主要是在不同的應用點采用不同閾值的邏輯門以確保電路性能得到滿足的情況下門內器件的漏電流最小；功率控制電路主要是在電路不需要工作時，控制電路截斷對應功能電路的電源，使其泄漏電流為零，實現低功耗。

但是，現有的低功耗設計（如多閾值邏輯門和功率控制電路等）的柵長一般是固定的，由此得到的標準單元版圖結構圖形也是固定的，沒有余量，標準單元版圖結構圖形一旦生成就無法調整，因此在很多情況下無法根據精確的電路性能要求形成最合適的標準單元版圖結構圖形，進而無法從柵長優(yōu)化的角度制成低功耗集成電路設計。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種柵長參數化的標準單元版圖的生成方法，以解決現有技術中無法根據精確的電路性能要求形成最合適的標準單元版圖圖形的問題。

為實現上述目的，本發(fā)明實施例提供一種標準單元版圖的生成方法，所述方法包括：

根據有源區(qū)幾何圖形內柵陣列的柵長尺寸生成所述有源區(qū)幾何圖形，其中所述柵陣列包括若干個柵；

根據所述標準單元版圖內各個所述有源區(qū)幾何圖形內的柵的位置順序以及所述標準單元版圖內相鄰柵之間的分隔關系生成有源區(qū)接觸孔陣列和所述柵陣列，其中所述有源區(qū)接觸孔陣列包括若干個有源區(qū)接觸孔組，所述有源區(qū)幾何圖形內相鄰兩個柵之間的所有有源區(qū)接觸孔構成一個所述有源區(qū)接觸孔組；

根據所述有源區(qū)接觸孔陣列對應的第一類引出圖形與該有源區(qū)接觸孔陣列的相對位置尺寸生成所述第一類引出圖形；

根據所述有源區(qū)接觸孔陣列對應的第一類引出圖形生成跳層通孔陣列，所述跳層通孔陣列包括若干個跳層通孔；

根據所述柵陣列與所述有源區(qū)幾何圖形的相對位置尺寸以及所述第一類引出圖形生成柵接觸孔陣列，所述柵接觸孔陣列包括若干個柵接觸孔；

生成所述跳層通孔陣列和所述柵接觸孔陣列對應的第二類引出圖形；

生成所述標準單元版圖的引出端口陣列對應的第三類引出圖形，其中所述引出端口陣列包括若干個引出端口。

優(yōu)選地，所述根據有源區(qū)幾何圖形內柵陣列的柵長尺寸所述有源區(qū)幾何圖形前，所述方法還包括獲取所述有源區(qū)接觸孔陣列與所述有源區(qū)幾何圖形的邊緣的相對位置尺寸，包括以下步驟：

獲取所述有源區(qū)接觸孔陣列中最左側的有源區(qū)接觸組的左邊沿距離所述有源區(qū)幾何圖形的左側邊緣的距離；

獲取所述有源區(qū)接觸孔陣列中最右側的有源區(qū)接觸組的右邊沿距離所述有源區(qū)幾何圖形的右側邊緣的距離；

獲取所述有源區(qū)接觸孔陣列中最上側的有源區(qū)接觸孔組的上邊沿距離所述有源區(qū)幾何圖形的上側邊緣的距離；

獲取所述有源區(qū)接觸孔陣列中最下側的有源區(qū)接觸孔組的下邊沿距離所述有源區(qū)幾何圖形的下側邊緣的距離。

優(yōu)選地，所述根據所述標準單元版圖內各個所述有源區(qū)幾何圖形內的柵的位置順序以及所述標準單元版圖內相鄰柵之間的分隔關系生成所述有源區(qū)接觸孔陣列和柵陣列前，所述方法還包括獲取所述標準單元版圖內相鄰柵之間的分隔關系，包括以下步驟：

獲取相鄰兩個所述柵之間的距離；