[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及外延生長設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310256108.2
• 申請(qǐng)日: 2013-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN104250849B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C30B25/08
• 分類號(hào): C30B25/08;C30B25/10;C30B25/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td>

1.一種反應(yīng)腔室，其包括托盤及感應(yīng)線圈，所述托盤采用磁導(dǎo)體材料制作，且設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)，并且在所述托盤上設(shè)置有多個(gè)沿其周向排列的承載位，用以承載被加工工件；所述感應(yīng)線圈環(huán)繞在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上，用以采用感應(yīng)加熱的方式加熱所述托盤，其特征在于，在所述托盤的上方設(shè)置有反射部件，

所述反射部件用于將由所述托盤輻射至所述反射部件上的熱量，朝向置于該托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射，以補(bǔ)償所述被加工工件的低溫區(qū)域與高溫區(qū)域之間的溫度差；所述被加工工件的低溫區(qū)域和高溫區(qū)域，為由所述托盤的中心朝向邊緣的方向預(yù)定劃分的兩個(gè)區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，所述多個(gè)托盤沿豎直方向間隔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的數(shù)量為多個(gè)，并且

所述反射部件為在所述托盤下表面上形成的凹部；或者，所述反射部件為設(shè)置在所述托盤底部的平板，且在所述平板的下表面上形成有凹部；并且

所述凹部由相對(duì)于所述托盤所在平面傾斜的第一斜面和第二斜面相交形成，其中，

所述第一斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：所述第一斜面將位于其下方的托盤輻射至所述第一斜面上的熱量，朝向置于所述托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射；

所述第二斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：不會(huì)阻擋所述第一斜面朝向置于所述托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射熱量。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的數(shù)量為一個(gè)，并且

所述反射部件為設(shè)置在所述托盤上方的平板，且在所述平板的下表面上形成有凹部；并且，

所述凹部由相對(duì)于所述托盤所在平面傾斜的第一斜面和第二斜面相交形成，其中，

所述第一斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：所述第一斜面將所述托盤輻射至所述第一斜面上的熱量，朝向置于該托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射；

所述第二斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：不會(huì)阻擋所述第一斜面朝向置于所述托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射熱量。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述凹部的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，且在所述托盤所在平面上，每個(gè)所述凹部的第一斜面和第二斜面的投影形狀為彼此嵌套的環(huán)形；并且

不同凹部的第一斜面和第二斜面互為同心環(huán)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的數(shù)量為多個(gè)，并且

所述反射部件為在所述托盤下表面上形成的凸部；并且，所述凸部的下表面為相對(duì)于所述托盤所在平面傾斜的第一斜面，所述第一斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：所述第一斜面將位于其下方的托盤輻射至所述第一斜面上的熱量，朝向置于所述托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的數(shù)量為一個(gè)，并且

所述反射部件為設(shè)置在所述托盤上方的凸部；并且，所述凸部的下表面為相對(duì)于所述托盤所在平面傾斜的第一斜面，所述第一斜面的傾斜方向及角度被設(shè)置為：所述第一斜面將位于其下方的托盤輻射至所述第一斜面上的熱量，朝向置于所述托盤的各個(gè)承載位上的被加工工件的低溫區(qū)域反射。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述凸部的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)，且每個(gè)所述凸部的斜面在所述托盤所在平面上的投影形狀為環(huán)形；并且

不同凸部的第一斜面互為同心環(huán)。

9.根據(jù)權(quán)利要求3-4，6-7任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述第一斜面上覆蓋有反射層，用以提高所述第一斜面的熱反射率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反射層的熱反射率大于或等于0.9。

11.根據(jù)權(quán)利要求3-4，6-7任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，根據(jù)所述被加工工件的低溫區(qū)域在所述托盤徑向上的長度，所述托盤與所述第一斜面最下端或最上端之間的豎直間距，以及所述第一斜面在所述托盤所在平面上的投影形狀的外緣與所述被加工工件的低溫區(qū)域的內(nèi)緣之間的水平間距，而設(shè)定所述第一斜面的傾斜角度。