[發明專利]一種納米材料轉移沉積方法

有效

• 申請號: 201310247608.X
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103290411A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 佘峻聰;黃媛;鄧少芝;許寧生
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: C23C26/00
• 分類號: C23C26/00;B05D1/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 華輝;張玲春

1.一種納米材料轉移沉積方法，其特征在于其包括以下步驟：

1）加熱納米材料和液體的混合懸浮液；

2）將襯底固定在懸浮液上方；

3）納米材料被蒸發的溶液分子帶離液體，附著到放置于混合懸浮液液面上方的襯底表面，形成由納米材料層層堆疊的薄膜。

2.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述納米材料可以是納米薄片、納米管、納米線，或其它納米結構。

3.如權利要求2所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述納米薄片為石墨烯、氧化石墨烯、二硫化鉬或氮化硼中任一者。

4.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述液體可以是水、乙醇、異丙醇或其它有機、無機溶劑。

5.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：步驟1）中，加熱所需溫度等于或略低于所述液體的沸點，所述液體為有機溶劑時，加熱所需溫度為50°C-90°C；所述液體為水時，加熱所需溫度為80°C-100°C。

6.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述襯底可以是半導體、金屬或絕緣體。

7.如權利要求6所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述襯底的表面形貌可以是平整的，也可以是粗糙的，也可以是凹凸型槽狀，也可以是上下表面相通的孔洞(通孔)結構。

8.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述襯底表面與液面的夾角范圍可以在0-90°間調節。

9.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：步驟3）中，所述由納米材料層層堆疊形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通過調整沉積時間來控制；沉積時間范圍在5min-5h之間；

所述納米材料層層堆疊形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通過調節懸浮液中納米材料濃度來控制；懸浮液中納米材料濃度范圍在0.1mg/mL-1mg/mL之間；

所述納米材料層層堆疊形成的薄膜的厚度和表面粗糙度可以通過調節溶液液面與襯底的間距來控制；溶液液面與襯底的間距范圍在0.5mm-3mm之間；

所述調節懸浮液的加熱溫度可以控制懸浮液的蒸發率，從而實現對納米材料層層堆疊形成的薄膜的厚度和表面粗糙度溫度的控制；所述液體為有機溶劑時，所述加熱溫度范圍在50°C-90°C之間；所述液體為水時，所述加熱溫度范圍在80°C-100°C之間。

10.如權利要求1所述的納米材料轉移沉積方法，其特征在于：所述納米材料可以連續地覆蓋在襯底表面、也可形成不連續的微納米結構點陣。