[發明專利]一種Mg摻雜AlN基稀磁半導體薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310243470.6
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號: CN103334083A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 熊娟;顧豪爽;楊洋;郭飛
• 申請（專利權）人: 湖北大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 武漢金堂專利事務所 42212
• 代理人: 丁齊旭

1.一種Mg摻雜AlN基稀磁半導體薄膜材料的制備方法：采用射頻磁控濺射系統，其特征在于，靶材是純度為99.999%的Al靶（直徑為60mm）和純度為99.995%的Mg靶（直徑為60mm），雙靶交替濺射；系統的本底真空度為10^-4-10^-5?Pa，濺射AlN時工作氣體為高純氬氣與氮氣混合氣體，流量比3:2，工作氣壓為0.5-5?Pa，射頻功率為50-200?W，襯底溫度為300℃，每次濺射10-20?min；濺射鎂時工作氣體為高純氬氣，流量為10-20?sccm，工作氣壓為0.5-5?Pa，濺射功率為50-100?W，襯底溫度為300℃，每次濺射時間2-10?s；正式濺射前，用100?W入射功率轟擊Al靶及Mg靶15?min，去除靶材表面雜質及氧化層；預濺射結束后，開始按上述順序交替濺射4次氮化鋁、3次鎂。

2.如權利要求1所述的一種Mg摻雜AlN基稀磁半導體薄膜材料的制備方法，其特征在于基片為P型Si（100），基片分別在丙酮、無水乙醇、去離子水溶液超聲清洗10分鐘，經高純氮氣吹干。

3.如權利要求1所述的一種Mg摻雜AlN基稀磁半導體薄膜材料的制備方法，其特征在于Mg的摻雜量通過改變Al靶及Mg靶濺射時間比例來調節。