[發明專利]固態成像器件和電子設備有效
| 申請號: | 201310241459.6 | 申請日: | 2013-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN103515405B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | 城戶英男 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290 | 代理人: | 梁興龍,陳桂香 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 器件 電子設備 | ||
1.一種固態成像器件,包括:
多個光電轉換單元;
沿著所述多個光電轉換單元配線的信號線;
與所述各光電轉換單元電連接并包括柵極和兩個雜質區域的輸出晶體管,所述兩個雜質區域設置在所述柵極的兩側并且在溝道寬度方向上的大小以及深度中的至少一個尺寸不同,所述信號線與所述兩個雜質區域中具有更小尺寸的雜質區域連接;和
其中設置有所述光電轉換單元的第一有源區域;和
其中一端側的開口寬度小的第二有源區域,
其中,在所述輸出晶體管中,具有第二有源區域的小開口寬度的部分被設置作為所述具有更小尺寸的雜質區域。
2.如權利要求1所述的固態成像器件,還包括:
放大晶體管,所述放大晶體管包括與所述光電轉換單元電連接的放大門,并且具有其中所述放大門設置在具有第二有源區域的大開口寬度的部分中的構成。
3.如權利要求2所述的固態成像器件,其中所述放大晶體管與所述輸出晶體管共享所述兩個雜質區域中具有更大尺寸的雜質區域。
4.如權利要求3所述的固態成像器件,其中所述輸出晶體管是包括被輸入選擇信號的選擇門的選擇晶體管。
5.如權利要求4所述的固態成像器件,其中所述選擇門形成在具有第二有源區域的大開口寬度的部分中。
6.如權利要求2所述的固態成像器件,其中所述放大晶體管被設置作為與所述信號線連接的所述輸出晶體管。
7.如權利要求6所述的固態成像器件,還包括:
選擇晶體管,所述選擇晶體管在第二有源區域中與所述放大晶體管共享所述兩個雜質區域中具有更大尺寸的雜質區域,并且包括被輸入選擇信號的選擇門。
8.如權利要求6所述的固態成像器件,還包括:
復位晶體管,所述復位晶體管在第二有源區域中與所述放大晶體管共享所述兩個雜質區域中具有更大尺寸的雜質區域,并且包括被輸入復位信號的復位門。
9.如權利要求1所述的固態成像器件,還包括:
與所述光電轉換單元鄰接設置的傳輸門;和
與所述傳輸門鄰接設置的浮動擴散部,
其中所述輸出晶體管經由所述浮動擴散部與所述光電轉換單元電連接。
10.如權利要求1所述的固態成像器件,其中第一有源區域和第二有源區域被元件分離部分離。
11.一種電子設備,包括:
多個光電轉換單元;
沿著所述多個光電轉換單元配線的信號線;
與所述各光電轉換單元電連接并包括柵極和兩個雜質區域的輸出晶體管,所述兩個雜質區域設置在所述柵極的兩側并且在溝道寬度方向上的大小以及深度中的至少一個尺寸不同,所述信號線與所述兩個雜質區域中具有更小尺寸的雜質區域連接;
其中設置有所述光電轉換單元的第一有源區域;
其中一端側的開口寬度小的第二有源區域;和
將入射光導向所述光電轉換單元的光學系統,
其中,在所述輸出晶體管中,具有第二有源區域的小開口寬度的部分被設置作為所述具有更小尺寸的雜質區域。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼半導體解決方案公司,未經索尼半導體解決方案公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310241459.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種育苗用促生根肥料的制造方法
- 下一篇:一種增強作物硒元素吸收率的肥料
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





