[發明專利]高壓功率器件用極厚外延片及其制造方法

有效

• 申請號: 201310240216.0
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103354242A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 王浩;鄒崇生
• 申請（專利權）人: 上海晶盟硅材料有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 李強

1.高壓功率器件用極厚外延片，包括襯底和外延層，其特征在于，所述襯底為6寸以上，所述外延層厚度為100μm以上。

2.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述襯底為6寸或8寸。

3.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述外延層厚度為100μm-199μm。

4.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述外延層的厚度非均勻性小于等于5%。

5.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述外延層的電阻非均勻性小于等于5%。

6.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述襯底為N型襯底；，所述N型襯底摻雜砷、磷及銻中的至少一種元素。

7.根據權利要求1所述的高壓功率器件用極厚外延片，其特征在于，所述襯底為P型襯底；所述P型襯底摻雜有硼元素。

8.權利要求1-7任一權利要求所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，包括步驟：分兩步將襯底自室溫升高至長晶溫度，然后在襯底表面生長外延層；

第一步，以80℃-120℃/min的速度自室溫升至950℃-1000℃；

第二步，以10℃-20℃/min的速度升溫至長晶溫度。

9.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，所述長晶溫度為1040℃～1100℃。

10.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，以襯底圓心為中心，150mm范圍內的溫度差小于等于5℃。

11.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，第一步，以100℃-110℃/min的速度自室溫升至960℃-990℃。

12.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，第二步，以14℃-18℃/min的速度升溫至長晶溫度。

13.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，所述的襯底放置于石墨坑內長晶，所述放置6寸襯底的石墨坑直徑為152mm；所述放置8寸襯底的石墨坑直徑為202mm。

14.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，所述襯底為自邊緣起3mm內無大于0.3μm缺陷的襯底。

15.根據權利要求8所述的高壓功率器件用極厚外延片的制造方法，其特征在于，使用LPE3061系列機型外延長晶爐完成外延長晶。