[發明專利]用于光學和電子器件的圖案化結構基板

有效

• 申請號: 201310238532.4
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103354220A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 高鞠
• 申請（專利權）人: 蘇州晶品光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/13;H01L23/373
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種用于光學和電子器件的圖案化結構基板，包括金屬基體，在所述金屬基體上形成有過渡層，在所述過渡層上形成有功能陶瓷層，并通過掩模對所述功能陶瓷層以及過渡層進行選擇性蝕刻形成多個隔離基座；且在所述隔離基座上形成金屬電路。

2.根據權利要求1所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述功能陶瓷層的厚度為10-500?um；所述功能陶瓷層選自氧化硅，氧化鋁，氧化鋯，氧化鈦，氧化鋅，釔鋁石榴石，氮化鋁，氮化硼，氮化硅和碳化硅中的一種或幾種。

3.根據權利要求2所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述功能陶瓷層優選為AlN或AlON。

4.根據權利要求1-3任一項所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述功能陶瓷層可以通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法制備得到。

5.權利要求1所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述功能陶瓷層為AlON；并且所述AlON功能陶瓷涂層的步驟采用以下工藝，其反應體系為AlCl₃-NH₃-H₂O-O₂-H₂，反應溫度為350-420℃，工作壓力為1000-1500Pa,?其中AlCl₃的流量為50?ml/min,?NH₃的流量為15-35?ml/min,?H2O的流量為5-20?ml/min，O₂的流量為5-10?ml/min，H₂的流量為500?ml/min，薄膜厚度為200?μm。

6.權利要求5所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述過渡層的步驟采用以下工藝：抽真空度至5.0×10^-4?Pa，向真空鍍膜室內通入純度為99.99%的Ar，流量20sccm，并保持真空鍍膜室內的工作真空度為50?Pa，開啟一對帶有鋁靶濺射陰極的中頻濺射電源，電源功率10?kW；同時開啟偏壓電源，偏壓電源為高頻脈沖偏壓電源，電壓50V，頻率20kHz，占空比90%來代替，基板沉積溫度保持在20℃，沉積時間2分鐘，沉積厚度為200?nm。

7.權利要求1所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述功能陶瓷層為AlN；并且所述AlN功能陶瓷涂層的步驟采用以下工藝，其反應體系為AlCl₃-NH₃-N₂-H₂，反應溫度為420-450℃，工作壓力為1200-1500Pa,?其中AlCl₃的流量為50?ml/min,?NH₃的流量為15-35?ml/min,?N₂的流量為15-25?ml/min，H2的流量為500?ml/min，薄膜厚度為200?μm。

8.權利要求1所述的用于光學和電子器件的圖案化結構基板，其特征在于所述過渡層的步驟采用以下工藝：抽真空度至5.0×10^-4Pa，向真空鍍膜室內通入純度為99.99%的Ar，流量20sccm，并保持真空鍍膜室內的工作真空度為50?Pa，開啟一對帶有銅靶濺射陰極的中頻濺射電源，電源功率8?kW；同時開啟偏壓電源，偏壓電源為高頻脈沖偏壓電源，電壓30V，頻率20kHz，占空比為90%，基板沉積溫度保持在30℃，沉積時間2分鐘，沉積厚度為100?nm。