[發(fā)明專利]噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310232682.4 | 申請日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN104233224A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃練盛 | 申請(專利權(quán))人: | 浩升開發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴涂 超聲波 鍍膜 系統(tǒng) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
一種鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法,尤其是指一種噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)(supersonic?spray?coating?system)及鍍膜方法,可應(yīng)用于精密鍍膜制程,例如太陽能電池硅晶片背面鈍化層的形成等。
背景技術(shù)
硅晶太陽能電池發(fā)展趨勢為降低成本與提升效率。為了節(jié)省硅原料的使用以降低成本,以及解決薄型化硅晶片容易破片的問題,各種制程設(shè)備均由原始單一獨立的型式朝向多工整合的型式發(fā)展。因此,如何提升硅晶太陽電池的效率與降低制造成本等課題,更是未來技術(shù)發(fā)展的重心。發(fā)展具有光電轉(zhuǎn)換效率超過20%的硅晶太陽電池,也是迫切需求的關(guān)鍵技術(shù)。
在一高效率硅晶太陽能電池上,包括正向集光倒金字塔結(jié)構(gòu)、選擇性射極、雙層抗反射層、背面鈍化膜和背面點電極等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),大多都是在真空環(huán)境下以黃光制程制作而成。黃光制程不僅制程復(fù)雜,且設(shè)備昂貴,往往造成量產(chǎn)的困難性,因此業(yè)界均致力于尋求取代黃光制程的方法。
PERL(Passivated?Emitter,Rear?Locally-diffused)結(jié)構(gòu)太陽能電池關(guān)鍵的制程之一是背面鈍化層,而目前公認最佳的鈍化膜材料為氧化鋁薄膜,而形成氧化鋁薄膜鍍膜普遍使用ALD或PECVD等設(shè)備。
ALD可鍍制的高品質(zhì)的氧化鋁薄膜,但由于每次鍍膜循環(huán)僅鍍制一原子層約0.5nm的膜厚,因此鍍膜效率不佳。PECVD雖有較佳鍍膜效率,但其設(shè)備及制程較為復(fù)雜,導(dǎo)致鍍膜成本的增加。
再者,無論是ALD或是PECVD,均需在超高真空環(huán)境中進行鍍膜制程,并使用昂貴的甲基鋁為原料,形成高真空環(huán)境的設(shè)備將導(dǎo)致整體鍍膜成本的增加,且價格高昂的原料由于制造不易,導(dǎo)致鍍膜效率不佳而造成量產(chǎn)困難。
因此,能夠在非真空狀態(tài)下進行氧化鋁鍍膜的噴涂式鍍膜設(shè)備受到高度關(guān)注,因其擁有低設(shè)備成本與低材料成本的兩大優(yōu)勢,擁有強大競爭力。但是噴涂式鍍膜系統(tǒng)仍有其缺失,因其氣體噴出為非定向,因此控制不易,使其噴涂于一基板材料時,膜厚均勻度難以掌控。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明揭示一種噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)。利用超聲波振蕩將鍍膜所需漿料霧化為微小的液滴,并透過特制的風(fēng)刀組使?jié){料形成簾幕狀噴射,使?jié){料噴涂于基板上。此種噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)在非真空環(huán)境下即可操作,具有制程簡單,成本低廉的優(yōu)點。并且,透過簾幕狀噴射能使?jié){料更精準、更均勻噴涂在基板材料上,解決已知此種噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)膜厚及均勻度難以控制的缺點。
本發(fā)明的一方面在提供一種噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng),包含一霧化槽體、一霧氣儲存槽、一環(huán)型氣環(huán)以及一風(fēng)刀組。霧化槽體包含一振蕩裝置、一散熱流體容器、一隔膜及一漿料容器。振蕩裝置設(shè)置于霧化槽體底部。散熱流體容器設(shè)置于振蕩裝置上,散熱流體容器包含一散熱流體注入口。隔膜設(shè)置于散熱流體容器上表面。漿料容器設(shè)置于隔膜上方,漿料容器并包含一漿料注入口。另外,霧氣儲存槽設(shè)置于霧化槽體上方;環(huán)型氣環(huán)設(shè)置于霧氣儲存槽上;而風(fēng)刀組設(shè)置于環(huán)型氣環(huán)上方。其中,噴涂所需的一漿料由漿料注入口注入漿料容器,而霧化所需的一散熱流體由散熱流體注入口注入散熱流體容器,振蕩裝置使散熱流體在其表面發(fā)生一表面波,表面波以一超聲波頻率振蕩并帶動隔膜振動,使噴涂所需的漿料霧化,并透過環(huán)型氣環(huán)輸送一潔凈氣體形成氣流,帶動霧化的漿料入風(fēng)刀組,并透過風(fēng)刀組使噴出的霧化的漿料呈簾幕狀。
依據(jù)本發(fā)明一實施例,散熱流體容器呈傾斜狀,其下方開口與霧化槽體內(nèi)的一容置空間連通,漿料容器的下表面與散熱流體容器的上表面呈對應(yīng)傾斜狀,用以限制散熱流體液位及避免產(chǎn)生氣泡。此外,噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)中,環(huán)型氣環(huán)是利用流場變化牽引導(dǎo)入潔凈氣體。
風(fēng)刀組由金屬板塊加工形成一氣流導(dǎo)向構(gòu)造,其內(nèi)部設(shè)有一冷卻回路,用于防止霧化漿料溫度上升。
上述的噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng),還包含:一流體恒溫裝置,其與散熱流體容器連接,使散熱流體溫度維持穩(wěn)定;以及一風(fēng)刀恒溫裝置,其與風(fēng)刀組連接,使風(fēng)刀組溫度維持穩(wěn)定。
本發(fā)明的另一方面在提供一種應(yīng)用上述噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)的鍍膜方法,包含:準備一噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng);準備一基板材料,基板材料設(shè)置與噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)間隔一距離;準備一加熱裝置,加熱裝置與基板材料連接,用以加熱基板材料至一預(yù)設(shè)溫度;以及加熱基板材料,并利用噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)將霧化的漿料噴涂于基板材料的一表面。
依據(jù)本發(fā)明一實施例,噴涂式超聲波鍍膜系統(tǒng)可將霧化的漿料噴涂于基板材料的上表面或下表面。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浩升開發(fā)科技股份有限公司,未經(jīng)浩升開發(fā)科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310232682.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:用于金屬料帶連續(xù)蝕刻加工的制造方法
- 下一篇:蒸發(fā)裝置和方法
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





