[發明專利]集成有減振器的單一多晶硅MOSFET器件

有效

• 申請號: 201310231793.3
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103515442A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 潘繼;伍時謙;安荷·叭剌
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種MOSFET器件，其特征在于，該器件包含：

一個第一導電類型的半導體的襯底；

一個第一導電類型的半導體的漂流區，其形成在所述襯底上方，所述漂流區的摻雜濃度低于襯底；

一個第二導電類型的本體區，其形成在所述漂流區頂部，所述第二導電類型與第一導電類型相反；

一個或若干個由漂流區和本體區構成的有源MOSFET器件結構，其中每個有源MOSFET器件結構都含有一個電絕緣柵極電極；一個或若干個形成在臨近柵極電極的本體區頂部的第一導電類型的源極區；一個形成在柵極電極上方和本體區的頂面上方的絕緣物部分；一個形成在絕緣物部分上方的導電源極電極層；一個或若干個電接頭，其將源極電極層與一個或若干個源極區相連；以及，

一個或若干個由漂流區和本體區構成的虛擬器件結構，其并聯到有源MOSFET器件結構上，其中一個或若干個虛擬器件結構中的每一個器件結構都包含有一個電絕緣減振器電極，其形成在本體區和漂流區附近；一個絕緣物部分，其形成在減振器電極上方和本體區的頂面上方；以及，一個或若干個電接頭，其將減振器電極和本體區的鄰近部分連接到源極電極層。

2.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，一個或若干個所述的虛擬器件結構位于MOSFET器件布局的不同區域中，而不是一個或若干個有源MOSFET器件結構中。

3.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，一個或若干個所述的虛擬器件結構位于MOSFET器件布局的同一個區域中，并且與一個或若干個有源MOSFET器件結構混合。

4.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，每個所述虛擬器件結構都沒有源極區。

5.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，將減振器電極和本體區的鄰近部分連接到源極電極層的所述電接頭，為從源極層開始穿過絕緣物部分延伸的接頭。

6.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，每個所述柵極電極都形成在柵極溝槽中，該柵極溝槽穿過本體區延伸到漂流區中，所述柵極電極與柵極溝槽的側壁和底部電絕緣，其中在柵極電極和柵極溝槽底部之間的柵極溝槽中沒有額外的電極。

7.如權利要求1或6所述的MOSFET器件，其特征在于，每個所述的減振器電極都形成在溝槽中，該溝槽穿過本體區延伸到漂流區中，所述減振器電極與溝槽的側壁和底部電絕緣。

8.如權利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件結構為平面器件結構，其中所形成的柵極電極覆蓋在本體區的一部分本體阱、源極區以及橫向靠近本體阱區的漂流區的通道部分上方。

9.如權利要求1或8所述的MOSFET器件，其特征在于，所述虛擬器件結構為平面器件結構，其中所形成的減振器電極覆蓋在本體區的一部分本體阱，以及橫向靠近本體阱區的一部分漂流區上方。

10.一種用于制備含有一個或若干個有源MOSFET器件結構以及一個或若干個減振器電路的MOSFET器件的方法，其特征在于，該方法包含：

制備一個第一導電類型的半導體漂流區，該漂流區形成在第一導電類型的半導體襯底上方，所述漂流區的摻雜濃度低于襯底；

在漂流區的頂部，制備一個第二導電類型的本體區，所述第二導電類型與第一導電類型相反；

由漂流區和本體區制備一個或若干個有源MOSFET器件結構，其中每個有源MOSFET器件結構都包含有一個電絕緣柵極電極；一個或若干個第一導電類型的源極區，其形成在柵極溝槽附近的本體區頂部；一個絕緣物部分，其形成在柵極電極上方和本體區的頂面上方；一個導電源極電極層，其形成在所述絕緣物部分上方；一個或若干個電接頭，其將源極電極層與一個或若干個源極區相連；并且，

制備一個或若干個由漂流區和本體區構成的虛擬器件結構，其中一個或若干個虛擬器件結構并聯到有源MOSFET器件結構上，其中一個或若干個虛擬器件結構中的每一個器件結構都含有一個電絕緣減振器電極，該電絕緣減振器電極形成在本體區和漂流區附近；一個絕緣物部分，其形成在減振器電極上方和本體區的頂面上方，以及一個或若干個電接頭，其將減振器電極和本體區的鄰近部分連接到源極電極層。