[發明專利]高功率因數的LED驅動電路有效
| 申請號： | 201310229330.3 | 申請日： | 2013-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN103281840A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 趙勇兵;田婷;詹騰;郭金霞;楊華;李璟;伊曉燕;王國宏;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H05B37/02 | 分類號： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率因數 led 驅動 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種高功率因數的LED驅動電路，包括：
一交流電源；
一整流橋，其輸入端與交流電源連接，輸出端接地；
一恒流源，其一端與整流橋的另一輸出端連接；
至少兩個以上的LED組的LED串，其LED組為串聯、并聯或串并聯，該LED串為串聯，該LED串的正極與恒流源的另一端連接；
一串聯的反饋電阻串，其一端與LED串的負極連接，另一端接地；
多個n溝道耗盡型半導體器件，每一n溝道耗盡型半導體器件的D端與相對應的兩LED組之間連接，S端與LED串的負極連接，G端與反饋電阻串中的相對應的反饋電阻連接。
2.如權利要求1所述的高功率因數的LED驅動電路，其中所述每個LED組為相同或不相同。
3.如權利要求1所述的高功率因數的LED驅動電路，其中所述的整流橋由普通二極管或發光二極管構成。
4.如權利要求1所述的高功率因數的LED驅動電路，其中所述n溝道耗盡型半導體器件是n溝道耗盡型MOSFET，或者是n溝道耗盡型JFET。
5.如權利要求1所述的高功率因數的LED驅動電路，其中所述恒流源由三極管、恒流二極管、MOSFET、JFET以及電阻元器件構成的恒流源電路。
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