[發明專利]多層陶瓷電子元件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310228723.2
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN103996538A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 全炳俊;李圭夏;具賢熙;金昶勛;樸明俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王崇;劉國平

1.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

具有內部電極形成其中的陶瓷主體；

形成在所述陶瓷主體的外表面并連接到所述內部電極的外部電極；和

在陶瓷主體的外表面中，在所述陶瓷主體的內部方向上，形成在所述內部電極和所述外部電極之間的接觸面上的緩沖層，

其中，當用Te表示所述內部電極的厚度，用N表示層壓的內部電極的數量，用t表示所述緩沖層的厚度，以及用L表示在所述陶瓷主體的長度方向上所述陶瓷主體的邊緣的寬度時，Te≤0.6μm，N>200，以及3μm≤t＜L。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，當用T表示所述外部電極的厚度時，t/T＜1/3。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述緩沖層具有50%以上的硼含量。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷主體具有長方體形狀。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內部電極具有矩形形狀。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極形成在所述陶瓷主體的端面上。

7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極延伸至所述陶瓷主體的上面、下面和側面的部分。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷主體含有鈦酸鋇或鈦酸鍶。

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極含有玻璃。

10.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極含有的導電金屬的擴散速率大于所述內部電極含有的導電金屬的擴散速率。

11.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內部電極含有選自由金、銀、銅、鎳、鈀、鉑和它們的合金組成的組中的至少一種。

12.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極含有選自由金、銀、鈀、銅、鎳和它們的合金組成的組中的至少一種。

13.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

外部電極，該外部電極包括形成在陶瓷主體端面上的第一和第二外部電極；

內部電極，該內部電極包括彼此分離并層壓在所述陶瓷主體內部的第一和第二內部電極，所述第一和第二內部電極分別連接到所述第一和第二外部電極；以及

在所述陶瓷主體的內部方向上從所述陶瓷主體的端面形成的緩沖層，

其中，當用Te表示所述內部電極的厚度，用N表示層壓的內部電極的數量，用t表示所述緩沖層的厚度，以及用L表示在所述陶瓷主體的長度方向上所述陶瓷主體的邊緣的寬度時，Te≤0.6μm，N>200，以及3μm≤t＜L。

14.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，當用T表示所述外部電極的厚度時，t/T＜1/3。

15.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述緩沖層具有50%以上的硼含量。

16.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷主體具有長方體形狀。

17.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內部電極具有矩形形狀。

18.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極延伸至所述陶瓷主體的上面、下面和側面的部分。

19.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷主體含有鈦酸鋇或鈦酸鍶。

20.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極含有玻璃。

21.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外部電極含有的導電金屬的擴散速率大于所述內部電極含有的導電金屬的擴散速率。

22.根據權利要求13所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內部電極含有選自由金、銀、銅、鎳、鈀、鉑和它們的合金組成的組中的至少一種。