[發明專利]一種制備銅種子層的方法有效
| 申請號： | 201310221366.7 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN103295958A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 周軍;朱亞丹;賀忻 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 種子 方法 | ||
1.一種制備銅種子層的方法，應用于后道銅互連工藝中，其特征在于，包括：
提供一具有銅互連溝槽的襯底；
于所述銅互連溝槽中沉積第一銅種子層；
繼續進行第二除氣工藝后，于所述銅互連溝槽中沉積第二銅種子層；
填充銅籽晶層充滿所述銅互連溝槽后，繼續銅電鍍工藝；
其中，所述第二銅種子層完全覆蓋所述銅互連溝槽的底部及其側壁。
2.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，還包括：對具有銅互連溝槽的襯底進行第一除氣工藝之后，進行預處理工藝并沉積混合阻擋層覆蓋所述銅互連溝槽的底部及其側壁，然后繼續所述第一銅種子層的沉積工藝。
3.根據權利要求2所述制備銅種子層的方法，其特征在于，進行所述第一除氣工藝時，反應溫度為250℃～400℃，反應時間為10s～300s。
4.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，預處理工藝采用純氫氣或者氫氦混合氣或者氬氣對襯底進行預處理工藝，該預處理工藝的反應時間為10s～120s。
5.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，所述混合阻擋層為氮化鉭和鉭組成的混合阻擋層。
6.根據權利要求5所述制備銅種子層的方法，其特征在于，沉積混合阻擋層采用的直流能量為5000W～30000W，反應時間為5s～120s。
7.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，沉積第一銅種子層采用的直流能量為5000W～30000W。
8.根據權利要求7所述制備銅種子層的方法，其特征在于，沉積第一種子層的厚度為300A～3000A。
9.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，所述第二除氣工藝時的反應時間為10s～300s。
10.根據權利要求1所述制備銅種子層的方法，其特征在于，所述第二銅種子層的厚度為50A～300A。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
