[發明專利]半導體器件及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310219811.6
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103515202B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 彼得·伊爾西格勒;漢斯-約阿希姆·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L29/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,梁韜

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體本體中形成溝槽；以及

通過等離子體摻雜來經由所述溝槽的側壁摻雜所述半導體本體的一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體器件具有至少100V的擊穿電壓。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的所述一部分包括以5x10¹¹cm^-2至5x10¹²cm^-2的劑量經由所述溝槽的側壁將摻雜劑引入所述半導體本體的所述一部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的一部分包括在100μs至10ms的范圍內調整直流電壓脈沖距離。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的一部分包括在0.5μs至20μs的范圍內調整直流電壓脈沖寬度。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的所述一部分包括調整直流電壓脈沖上升時間小于0.1μs。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括用絕緣材料填充所述溝槽。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括用半導體材料填充所述溝槽。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述半導體本體的摻雜部分上形成第一半導體層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述半導體本體的摻雜部分上形成所述第一半導體層包括通過橫向外延或低溫化學氣相沉積形成硅層。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述半導體本體的摻雜部分上形成所述第一半導體層包括：

在所述半導體本體的摻雜部分上形成非晶硅層；以及

通過熱處理使所述非晶硅層結晶。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述半導體本體的所述一部分上形成絕緣向外擴散阻擋層。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，超結器件被形成為包括所述半導體本體的摻雜部分作為電荷補償層的所述半導體器件。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，晶體管器件被形成為包括所述半導體本體的摻雜部分作為邊緣終止結構的所述半導體器件。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體本體包括第一導電類型的漂移區，并且其中通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的所述一部分包括利用與所述第一導電類型互補的第二導電類型的摻雜劑來摻雜所述半導體本體的所述一部分。

16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體本體包括第一導電類型的漂移區，并且其中通過等離子體摻雜來摻雜所述半導體本體的所述一部分包括利用所述第一導電類型的摻雜劑來摻雜所述半導體本體的所述一部分，所述方法進一步包括：

在所述溝槽中在所述半導體本體的所述一部分上方形成第一半導體層；以及

利用與所述第一導電類型互補的第二導電類型的摻雜劑通過等離子體摻雜來摻雜所述第一半導體層。

17.根據權利要求16所述的方法，進一步包括用絕緣材料填充所述溝槽。

18.根據權利要求16所述的方法，進一步包括用半導體材料填充所述溝槽。

19.根據權利要求16所述的方法，進一步包括：

從所述溝槽的底側除去所述第一半導體層；

在所述溝槽中的所述第一半導體層上方形成第二半導體層；以及

用所述第一導電類型的摻雜劑通過等離子體摻雜來摻雜所述第二半導體層。