[發(fā)明專利]電阻置頂型微推進(jìn)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310219043.4
• 申請(qǐng)日: 2013-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN103511125A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝建兵;郝永存;李小平;申強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): F02K9/95
• 分類號(hào): F02K9/95
• 代理公司: 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204
• 代理人: 呂湘連

1.電阻置頂型微推進(jìn)器，依次包括上層結(jié)構(gòu)體（1）、中間結(jié)構(gòu)體（2）和下層結(jié)構(gòu)體（3）；其特征在于：所述上層結(jié)構(gòu)體（1）、中間結(jié)構(gòu)體（2）均為硅材料；上層結(jié)構(gòu)體（1）厚度方向上有中間收縮兩端擴(kuò)張的類laval結(jié)構(gòu)的噴嘴（4），所述上層結(jié)構(gòu)體（1）下表面繞噴嘴周圍分布點(diǎn)火電阻（7），點(diǎn)火電阻（7）兩端與兩個(gè)上轉(zhuǎn)接電極（6）相連，兩個(gè)轉(zhuǎn)接電極（6）外邊緣各分布一個(gè)打線槽（5）；中間結(jié)構(gòu)層（2）內(nèi)部有填充藥品（17）的燃燒室（10），燃燒室（10）兩端有配合槽（8），配合槽（8）用于上轉(zhuǎn)接電極（6）與其內(nèi)部的下轉(zhuǎn)接電極（9）歐姆接觸形成聯(lián)通電路；下轉(zhuǎn)接電極（9）一部分與上轉(zhuǎn)接電極（6）歐姆接觸，另外部分通過(guò)打線槽（5）露出，用于打線；下層結(jié)構(gòu)體（3）用于封閉燃燒室（10）。

2.如權(quán)利要求1所述的電阻置頂型微推進(jìn)器，其特征在于，所述點(diǎn)火電阻（7）由多組環(huán)狀電阻絲組成。

3.一種如權(quán)利要求1所述的電阻置頂型微推進(jìn)器的制備方法，包括如下步驟：

第一步，對(duì)單晶硅片清洗、上表面濺射金屬鉻并圖形化，形成點(diǎn)火電阻（7），得到上層結(jié)構(gòu)體（1）；

第二步，對(duì)上層結(jié)構(gòu)體（1）上表面濺射金屬金并圖形化，得到上轉(zhuǎn)接電極（6）；

第三步，對(duì)上層結(jié)構(gòu)體（1）兩面沉積氮化硅并圖形化，得到中間有方形開口的氮化硅掩膜（14）；

第四步，對(duì)上層結(jié)構(gòu)體（1）上表面濺射金屬鋁并圖形化，得到兩端有長(zhǎng)方形開口的金屬鋁掩膜（15）；

第五步，以氮化硅掩膜（14）作為掩模對(duì)上層結(jié)構(gòu)體（1）進(jìn)行ICP刻蝕，直至刻透，并去除金屬鋁掩膜（15）；

第六步，對(duì)上層結(jié)構(gòu)體（1）濕法刻蝕單晶硅，形成類laval結(jié)構(gòu)噴嘴（4）；

第七步，去除上層結(jié)構(gòu)體（1）上的氮化硅掩膜（14），完成上層結(jié)構(gòu)體（1）加工；

第八步，對(duì)單晶硅片制作光刻膠掩膜并ICP刻蝕，形成配合槽（8），得到中間結(jié)構(gòu)體（2）；

第九步，對(duì)中間結(jié)構(gòu)體（2）上表面配合槽（8）位置處濺射金屬金并圖形化，形成下轉(zhuǎn)接電極（9）；

第十步，對(duì)中間結(jié)構(gòu)體（2）上表面濺射金屬鋁并圖形化，得到中間開有方形窗口的燃燒室掩膜（16）；

第十一步，以燃燒室掩膜（16）為掩模對(duì)中間結(jié)構(gòu)體（1）進(jìn)行ICP刻蝕，直至刻透，得到燃燒室（10）；

第十二步，將上層結(jié)構(gòu)體（1）上表面與中間結(jié)構(gòu)體（2）上表面進(jìn)行硅硅鍵合；

第十三步，填充藥品（17）并通過(guò)粘接劑將下層結(jié)構(gòu)體（3）與中間結(jié)構(gòu)體（2）貼合面粘接，將燃燒室密封。