[發明專利]一種透明導電氧化膜玻璃生產方法及鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201310218725.3
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103508679A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 邵景楚;候英蘭;楊斌;蘭明雄;徐海濱;沈阮順;吳劍波;江亞聰;周炳元;鄭崇;龍立華;易策明;譚桂平;凌爽;漆永紅;沈輝松;張建輝;陳凌涵;許繡山;潘國委
• 申請（專利權）人: 漳州旗濱玻璃有限公司;河源旗濱硅業有限公司
• 主分類號: C03C17/23
• 分類號: C03C17/23
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 李雁翔

技術領域

本發明屬于玻璃制造技術領域，具體涉及一種透明導電氧化膜玻璃生產方法及鍍膜裝置。

背景技術

隨著國家一系列可再生能源的開發利用、建筑節能法規、政策鼓勵推動，玻璃行業以低輻射鍍膜玻璃和高端功能性玻璃等為代表的高科技高附加值產品的需求量快速增長，其中，作為未來發展的綠色能源之一，太陽能光伏發電站的誕生，使得太陽能薄膜電池用透明導電氧化物膜（簡稱：TCO）玻璃的市場變得非常緊俏。研究和生產高性能、低成本的光伏用TCO玻璃已經成為一個熱門領域，該導電玻璃廣泛應用于太陽能光伏電站及照明燈、玩具、庭院燈等建筑物和日常生活場所。

由于在線TCO玻璃工藝復雜和技術難度大，涉及到如化學、光學、電學、物理學和材料學等多學科技術領域，尤其要求鍍膜膜層具有透明和導電的雙重功能，其性能指標必須滿足薄膜電池兼容電極使用，要求光電轉化效率高、使用壽命長、克服寬板邊部與中間由于溫差易引起的膜層不均勻缺陷，為此，需要對鍍膜機特殊結構設計，攻克大面積鍍膜均勻性問題以及降低成本等關鍵技術問題。另外工藝生產上對鍍膜專用設備的適用性、設計能力、鍍膜穩定性等需要進行全面技術評估鑒定，才能確保鍍膜器裝置在生產使用中，精確操作和安全可靠。

發明內容

本發明的目的在于提供一種透明導電氧化膜玻璃的生產方法。

本發明的另一目的在于提供一種在線透明導電氧化膜玻璃鍍膜裝置。

本發明的再一目的在于提供一種透明導電氧化膜玻璃。

本發明的技術方案如下：

一種透明導電氧化膜玻璃的生產方法，包括如下步驟，在下述步驟中，浮法玻璃層處于錫槽中并被拉引的狀態：

（1）將有機錫化合物、有機硅化合物、有機磷化合物、惰性氣體及氧氣送入蒸發器形成第一阻擋層氣相化合物，將該第一阻擋層氣相化合物通過化學氣相沉積法在680-700℃的浮法玻璃層上形成第一阻擋層，即SnSiOx層，溫度降至660-680℃；

（2）將有機硅化合物、有機磷化合物、惰性氣體、氧氣及水送入蒸發器形成第二阻擋層氣相化合物，將該第二阻擋層氣相化合物通過化學氣相沉積法在步驟（1）所得的660-680℃的第一阻擋層上形成第二阻擋層，即SiO2層，溫度降至640-670℃；

（3）將有機錫化合物、三氟乙酸、氧氣、水、惰性氣體及甲醇送入蒸發器形成功能層氣相化合物，將該功能層氣相化合物通過化學氣相沉積法在步驟（2）所得的640-670℃的第二阻擋層上形成功能層，即SnO2:F層，退火后即得所述透明導電氧化膜玻璃。

在本發明的一個優選實施方案中，所述步驟（1）具體為：將三氯單丁基錫、正硅酸四乙酯、亞磷酸三乙酯、氮氣及氧氣以3-6:5-8:0.4-0.9:5-15:10-25的重量份送入蒸發器形成第一阻擋層氣相化合物，將該第一阻擋層氣相化合物通過化學氣相沉積法在680-700℃的浮法玻璃層上形成厚度為60-90nm的第一阻擋層，即SnSiOx層，溫度降至660-680℃。

在本發明的一個優選實施方案中，所述步驟（2）具體為：正硅酸四乙酯、亞磷酸三乙酯、氮氣、氧氣及去離子水2-5:1.5-2:7-20:5-15:0.5-0.8的重量份送入蒸發器形成第二阻擋層氣相化合物，將該第二阻擋層氣相化合物通過化學氣相沉積法在步驟（1）所得的660-680℃的第一阻擋層上形成厚度為25-30nm的第二阻擋層，即SiO2層，溫度降至640-670℃。

在本發明的一個優選實施方案中，所述步驟（3）具體為：將三氯單丁基錫、三氟乙酸、氧氣、去離子水、氮氣及甲醇以30-40:2-4:15-20:10-20：15-25:2-10的重量份送入蒸發器形成功能層氣相化合物，將該功能層氣相化合物通過化學氣相沉積法在步驟（2）所得的640-670℃的第二阻擋層上形成500-700nm的功能層，即SnO2:F層，退火后即得表面粗糙度Rq=40-47/nm、霧度為12-15%的所述透明導電氧化膜玻璃。

在本發明的一個優選實施方案中，所述浮法玻璃層在錫槽中以500-600m/h的速度被拉引，所述第一阻擋層氣相化合物和第二阻擋層氣相化合物的的沉積速率大于12nm/s-20nm/s，所述功能層氣相化合物的沉積速率大于106nm/s-115nm/s。

上述工藝技術依靠下列發明的鍍膜裝備加以實施：