[發明專利]一種可移位輻射源架及其工作方法

無效

• 申請號: 201310218169.X
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103266305A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 王朝陽;宮睿
• 申請（專利權）人: 無錫啟暉光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

技術領域

本發明主要涉及一種真空鍍膜設備的基片加熱機構，具體地說是一種可移位輻射源架及其工作方法，屬于光學鍍膜的技術領域。

背景技術

真空鍍膜技術近年來已經被廣泛應用于數碼電子、天文儀器、光纖通訊、太陽能光伏產業等各行各業。鍍膜前基片的加熱非常重要，提高基片溫度可以促進沉積的膜料分子與剩余氣體分子的化學反應，改變膜層的結晶形式和晶格常數，從而改變折射率。基片溫度的提高，有利于將吸附在基片表面的剩余氣體分子排除，增加基片和沉積分子之間的結合力；同時會促使物理吸附向化學吸附轉化，使膜層更加致密。然而，溫度過高會使膜層變質，如果加熱均勻性差，也會嚴重影響薄膜的光學性能。目前在普通的工業設備和研發設備中，為了達到加熱均勻性，主要還是采用每次加熱單片基片的方式，缺點是效率低下、難以滿足連續量產的要求。如中國專利CN201158704Y。

發明內容

本發明針對現有基片加熱技術在對多個基片均勻加熱上存在的缺陷，提供了一種可移位輻射源架及其工作方法，該移位輻射源架能夠使多個基片同時均勻加熱到理想溫度，并且提高電能利用率，縮短加熱時間，提高鍍膜機的效率。

本發明所述的一種可移位輻射源架，包括設在中間位置的主轉動軸，圍繞主轉動軸均勻設置若干個繞主轉動軸旋轉的基片工件盤，主轉動軸與各基片工件盤通過連桿連接，基片工件盤下裝有使其自轉的次傳動軸，在基片工件盤旋轉面上下兩側分別設有上部可移動加熱輻射體和下部可移動加熱輻射體。

所述上部可移動加熱輻射體和下部可移動加熱輻射體相互獨立，均設置在各自的傳動組件上，并通過傳動組件實現上下、前后移動。

所述主轉動軸和次傳動軸分別由各自的動力源帶動。

本發明還提供了該可移位輻射源架的工作方法，首先根據基片工件盤上基片工件的位置及工件形狀，通過CFdesign仿真軟件計算，設計出最佳的的輻射源曲面參數，然后調整輻射加熱源的上下加熱輻射源的位置，同時進行溫度測試，最后通過微調輻射源位置以達到最佳均勻加熱溫度及加熱時間。

本發明可以同時加熱多個基片，并均勻加熱到理想溫度。在提高了鍍膜質量的同時還大大提高了鍍膜機的效率以及加熱源的電能利用率；同時由于加熱輻射體也是可動的，在加熱過程中根據加熱對象采用最優化的運行方式，不僅使加熱均勻，也縮短了加熱時間。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖，

圖2是本發明基片工作盤的俯視圖。

主要元件符號說明：

主轉動軸????????????????????1

基片工件盤??????????????????2

次傳動軸????????????????????3

上部可移動加熱輻射體????????4

下部可移動加熱輻射體????????5。

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具體實施方式

如圖1和圖2所示，本發明的可移位輻射源架，采用行星旋轉式結構，其中間位置為主轉動軸1，圍繞主轉動軸均勻設置若干個繞主轉動軸旋轉的基片工件盤2，主轉動軸1與各基片工件盤2通過連桿連接，主轉動軸1使得各基片工件盤2繞其公轉，各基片工件盤2下裝有使其自轉的次傳動軸3，主、次傳動軸分別由各自的動力源帶動。在基片工件盤2旋轉面上下兩側分別設有上部可移動加熱輻射體4和下部可移動加熱輻射體5。上、下可移動加熱輻射體相互獨立，均設置在各自的傳動組件上，通過傳動組件實現上下、前后移動。

基片加熱如果不考慮節能和效率，確實很簡單，只要設定一定的溫度，用溫控儀就能達到要求。而如果要在最短的時間，用最少的電能，使多個基片同時達到理想的加熱效果，需要進行仿真計算軟件的建模，考慮計算的通用性以及邊界條件的簡化等。本發明的可移位輻射源架的設計思想是根據各個基片的形狀，要達到最佳的效率，必須是特殊的曲面。為了使多個基片同時均勻的達到理想溫度的，本發明的可移位輻射源架除了在結構上對應各個基片分別設置了上部加熱輻射體和下部加熱輻射體，并且可以上下、前后移動，還可以根據實際基片工件夾的位置，通過CFdesign仿真軟件計算，設計出最佳的的輻射源曲面參數，然后調整輻射加熱源的上下加熱輻射源的位置，同時進行溫度測試，最后通過微調輻射源位置以達到最佳均勻加熱溫度。