[發(fā)明專利]一種在導(dǎo)電基底上自發(fā)沉積三維石墨烯的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310217510.X
• 申請(qǐng)日: 2013-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103265022A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曲良體;胡傳剛;翟相泉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C01B31/04
• 分類號(hào): C01B31/04
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 楊志兵;付雷杰

1.一種在導(dǎo)電基底上自發(fā)沉積三維石墨烯的方法，其特征在于，所述方法步驟如下：

第一步：利用氧化剝離石墨法制備得到8～20mg/mL氧化石墨烯溶液；

第二步：將8～20mg/mL氧化石墨烯溶液稀釋，使氧化石墨烯溶液的濃度為0.5～3mg/mL；

第三步：將導(dǎo)電基底放到第二步配制好的氧化石墨烯溶液中靜置，反應(yīng)6～12小時(shí)后取出導(dǎo)電基底，氧化石墨烯被還原得到三維石墨烯，并沉積在導(dǎo)電基底的表面；

第四步：對(duì)第三步得到的三維石墨烯直接進(jìn)行冷凍干燥，得到干燥多孔的功能化三維石墨烯；或先清洗掉第三步得到的三維石墨烯上附著的金屬氧化物后再進(jìn)行冷凍干燥，得到純凈的干燥多孔三維石墨烯；

所述導(dǎo)電基底為以下六種中的一種，其中：

第一種為Zn、Fe、Al、Co或Cu；

第二種為真空濺射噴Cu的Ag、Pt或Au箔；

第三種為通過(guò)化學(xué)反應(yīng)沉積了納米結(jié)構(gòu)的Ag、Pt或Au的Cu箔；

第四種為真空濺射噴Cu的Si片；

第五種為導(dǎo)電面的半面真空濺射噴Cu的導(dǎo)電玻璃；

第六種為帶有石墨烯膜的Cu基底；

第二步中稀釋采用達(dá)到蒸餾水純度及以上的水；

第三步中當(dāng)導(dǎo)電基底為Al或Co時(shí)，靜置溫度為60℃；當(dāng)導(dǎo)電基底不為Al或Co時(shí)，靜置溫度為室溫～60℃。