[發明專利]一種低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液及其制備方法

在審

• 申請號: 201310215491.7
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103314995A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 邵鵬飛
• 申請（專利權）人: 邵鵬飛
• 主分類號: A01N59/00
• 分類號: A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；

（2）提供pH值調節單元；

（3）將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其電導率不高于120S/m。

2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在4-8間，其氧化還原電位為600-1300mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其電導率不高于60S/m。

3.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5-8間，其氧化還原電位為600-1200mV，其有效氯含量為3-2000mg/L，其電導率為10^-4-10S/m。

4.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，在步驟（1）中還包括：對所述有效氯提供單元進行降低電導率的預處理。

5.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，在步驟（2）中還包括：對所述pH值調節單元進行降低電導率的預處理。

6.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，在步驟（3）中還包括：對所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低電導率的后處理。

7.如權利要求4或5或6所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，所述降低電導率的處理方法可選自結晶法、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法、離子交換法或加入可抑制電離的物質中的一種或者幾種。

8.如權利要求7所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，所述可抑制電離的物質包括可與水混溶或在水中具有一定溶解度的有機溶劑。

9.如權利要求8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液的制備方法，其特征在于，所述可與水混溶或在水中具有一定溶解度的有機溶劑選自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、丙三醇、丙酮的其中一種或幾種。

10.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，包括使用前獨立分裝的pH值調節單元和有效氯提供單元；所述有效氯提供單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其電導率不高于120S/m。

11.如權利要求10所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在4-8間，其氧化還原電位為600-1300mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其電導率不高于60S/m。

12.如權利要求10所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5-8間，其氧化還原電位為600-1200mV，其有效氯含量為3-2000mg/L，其電導率為10^-4-10S/m。

13.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，所述殺菌溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其電導率不高于120S/m。

14.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，所述殺菌溶液的pH值在4-8間，其氧化還原電位為600-1300mV，其有效氯含量為3-5000mg/L，其電導率不高于60S/m。

15.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌溶液，其特征在于，所述殺菌溶液的pH值在5-8間，其氧化還原電位為600-1200mV，其有效氯含量為3-2000mg/L，其電導率為10^-4-10S/m。