[發明專利]MOS開關

無效

• 申請號: 201310214529.9
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103457588A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: C·科佐里諾
• 申請（專利權）人: 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

技術領域

本申請大體涉及電子開關，更具體地，涉及金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)開關以及判優電路(arbiter?circuit)。

背景技術

模擬開關可被配置為將模擬信號連接至電路路徑，或使模擬信號與電路路徑隔離。相反地，數字開關可被配置為響應于所接收的輸入，改變輸出狀態，但是不會將所接收的信號由輸入端傳送至輸出端。

發明內容

除了其他方面以外，本申請還討論了一種開關電路。該開關電路包括：開關，其具有被配置為將第一節點連接至第二節點的低阻態，以及被配置為使所述第一節點與所述第二節點隔離的高阻態；以及判優電路，被配置為接收電源電壓以及輸入信號，在輸出端提供所述電源電壓和所述輸入信號二者中的較高電壓，以及在所述輸入信號的電壓低于所述電源電壓時，使所述輸入信號與地隔離。

本申請還討論了一種開關系統，包括：開關，其具有：低阻態，被配置為將第一節點處的輸入信號連接至第二節點；以及，高阻態，被配置為使所述第一節點處的所述輸入信號與所述第二節點隔離；以及，判優電路，被配置為在輸入端接收電源電壓以及所述輸入信號，以及在輸出端提供所述電源電壓和所述輸入信號二者中的較高電壓；其中，所述判優電路被配置為在所述輸入信號的電壓低于所述電源電壓時，使所述輸入信號與地隔離。

本申請進一步討論了一種開關方法，包括：利用處于低阻態的開關，選擇性地將第一節點處的輸入信號連接至第二節點，以及利用處于高阻態的所述開關，使所述第一節點處的所述輸入信號與所述第二節點隔離；在判優電路處接收電源電壓以及輸入電壓；在所述判優電路的輸出端提供所述電源電壓和所述輸入信號二者中的較高電壓；以及在所述輸入信號的電壓低于所述電源電壓時，利用所述判優電路的所述輸出端使所述輸入信號與地隔離。

本部分旨在提供對本專利申請的主題的概述，而非提供本發明的排他性的或詳盡的說明。本文包括了詳細的描述，以提供關于本專利申請的進一步信息。

附圖說明

在附圖中(這些附圖不一定是按照比例繪制的)，相同的數字能夠描述不同視圖中的相似部件。具有不同字母后綴的相同數字能夠表示相似部件的不同示例。附圖通過示例而非限制的方式概括地示例了本申請中討論的各個實施例。

圖1大體示出了包括開關的開關電路的示例；

圖2大體示出了包括開關和判優電路的開關電路的示例；

圖3大體示出了施加至圖1和2中所示開關的第一和第二輸入信號的示例。

具體實施方式

圖1大體示出了包括開關SW1(例如，模擬開關)的開關電路100的示例。該開關SW1被配置為：在第一狀態(例如，低阻態或“ON”狀態)下，將第一節點(例如，輸入節點(IN))連接至第二節點(例如，輸出節點(OUT))，而在第二狀態(例如，高阻態或“OFF”狀態)下，使所述第一節點與所述第二節點隔離。

開關SW1可包括第一晶體管M1和第二晶體管M2，該第一晶體管M1和第二晶體管M2均具有柵極、源極和漏極。在一示例中，第一晶體管M1可包括p溝道晶體管，且第二晶體管M2可包括n溝道晶體管，第一和第二晶體管M1、M2的源極可被連接至第一節點，且第一和第二晶體管M1、M2的漏極可被連接至第二節點。在一示例中，第一晶體管M1的塊體(bulk)可連接至電源電壓，例如電池電壓(VBAT)，且第二晶體管M2的塊體可接地。

在一示例中，開關電路100可被配置為，例如，在使能輸入端EN處接收使能信號。第二晶體管M2的柵極可被配置為接收該使能信號。在一示例中，開關電路100可進一步包括具有柵極、源極和漏極的第三晶體管M3(例如，n溝道晶體管)。第三晶體管M3的柵極可被配置為接收該使能信號的表示，以及利用該使能信號的表示選擇性地將第一晶體管M1的柵極接地。

在一示例中，開關電路100可包括：第一和第二逆變器IC1、IC2，被配置為接收使能信號，以及在某些示例中，緩沖該使能信號并提供反向使能信號。開關電路100可包括：第六晶體管M6(例如，n溝道晶體管)，被配置為接收該使能信號的表示，以及利用該使能信號的表示選擇性地將第二節點接地。