[發明專利]低霧度透明導電電極

有效

• 申請號: 201310214518.0
• 申請日: 2013-06-01
• 公開（公告）號: CN103377757A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 潘克菲
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種導電薄膜，包括：

基板；

沉積于基板之上的金屬納米線網格；及

具有有機或無機材料的各向同性層，其位于基板之上；

其中，金屬納米線網格嵌入各向同性層中，且所述導電薄膜具有納米多孔表面，其特征在于：納米多孔表面的孔徑小于25納米。

2.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其鉛筆硬度大于1H。

3.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其鉛筆硬度大于3H。

4.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其霧度小于2%。

5.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其霧度小于1%。

6.如權利要求5所述的導電薄膜，其特征在于：其中納米線網格包括具有第一線長及第一線徑的第一納米線，及具有第二線長及第二線徑的第二納米線，其中第一納米線的第一線長為約50-100微米，而第二納米線的第二線徑小于50納米。

7.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：當波長介于200-1000納米之間，其光線透光率高于80%。

8.如權利要求7所述的導電薄膜，其特征在于：當波長介于400-800納米之間，其光線透光率高于90%。

9.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其表面電阻小于100歐/平方。

10.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其中第二線徑小于30納米。

11.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其中第二線長為約50-100微米。

12.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其進一步包括直接與納米線接觸的折射率匹配層。

13.如權利要求12所述的導電薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層具有導電材料、半導體材料或非導電材料。

14.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其中基板選自聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚碳酸酯及環-烯烴聚合物（COP）或環-烯烴共聚物（COC）。

15.如權利要求12所述的導電薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層進一步包括導電或半導體金屬氧化物，其選自摻氟錫氧化物（FTO）、銦錫氧化物（ITO）、摻鋁鋅氧化物（AZO）、摻鎵鋅氧化物（GZO）及摻硼鋅氧化物（BZO）。

16.如權利要求12所述的導電薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層具有各向異性的金屬氧化物或非金屬氧化物的材料，其平均表面粗糙度小于10-50納米。

17.如權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于：其中基板為玻璃。

18.一種觸摸屏裝置，其包括：

導電電極，其包括：

基板；

沉積于基板之上的金屬納米線網格；

具有有機或無機材料的各向同性層，其位于基板之上；

其中，金屬納米線網格嵌入各向同性層中，且所述導電薄膜具有納米多孔表面，其特征在于：納米多孔表面的孔徑小于25納米，且平均粗糙度為10-50納米。

19.如權利要求18所述的觸摸屏裝置，其特征在于：其中電機的鉛筆硬度大于1H。