[發明專利]氧化物半導體濺射靶、用其制造的薄膜晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 201310213423.7 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN103451607A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 河真珠;李承柱;吳珠惠;趙耀翰;樸柱玉;孫仁成;李炯錄;韓鎮宇 | 申請（專利權）人： | 三星康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/08;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 半導體 濺射 制造 薄膜晶體管 及其 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化物半導體濺射靶，在沉積薄膜晶體管的有源層的濺射工藝中使用，所述氧化物半導體濺射靶包含基于含有銦（In）、錫（Sn）、鎵（Ga）和氧（O）的組合物的材料。
2.根據權利要求1的氧化物半導體濺射靶，其中，所述組合物包含氧化鎵、氧化錫和氧化銦，相對于總的In+Ga+Sn，所述In、所述Ga和所述Sn的含量比為60原子%至70原子%、10原子%至25原子%和5原子%至30原子%。
3.一種制造薄膜晶體管的方法，包括用如權利要求1所述的氧化物半導體濺射靶沉積有源層。
4.根據權利要求3的方法，包括沉積所述有源層后在200℃至400℃范圍的溫度退火處理所述有源層。
5.根據權利要求4的方法，包括沉積所述有源層后在250℃至350℃范圍的溫度退火處理所述有源層。
6.根據權利要求3的方法，其中，所述薄膜晶體管為在液晶顯示器或有機發光顯示器中提供的薄膜晶體管。
7.一種薄膜晶體管，包含有源層，所述有源層包含基于含有銦（In）、錫（Sn）、鎵（Ga）和氧（O）的組合物的材料。
8.根據權利要求7的薄膜晶體管，其中，相對于總的In+Ga+Sn，所述有源層具有的所述In、所述Ga和所述Sn的含量比為60原子%至70原子%、10原子%至25原子%和5原子%至30原子%。
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