[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310207422.1
• 申請(qǐng)日: 2013-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103325692A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施建根;王小江;顧健
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市惠誠(chéng)律師事務(wù)所 11353
• 代理人: 雷志剛;潘士霖

1.一種半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

制作半導(dǎo)體器件柱狀凸點(diǎn)單體及再布線(xiàn)銅板，將所述半導(dǎo)體器件柱狀凸點(diǎn)單體倒裝在再布線(xiàn)銅板上，然后回流實(shí)施樹(shù)脂填充；

所述半導(dǎo)體器件柱狀凸點(diǎn)單體的制作方法：

（1）在半導(dǎo)體芯片上形成電極；

（2）在半導(dǎo)體芯片和電極上選擇性的覆蓋鈍化層；

（3）在鈍化層上形成一層聚合物；

（4）在鈍化層上再有選擇的形成絕緣中空柱狀件；

（5）在絕緣中空柱狀件表面、電極表面以及半導(dǎo)體芯片表面形成金屬層；

（6）在金屬層上形成光刻膠；

（7）在光刻膠上通過(guò)光刻形成開(kāi)口；

（8）在絕緣中空柱狀件中形成第一金屬柱，在光刻膠開(kāi)口形成第二金屬柱；

（9）去除絕緣中空柱狀件外圍的光刻膠和金屬層；

（10）切割成具有柱狀凸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件單體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述再布線(xiàn)銅板的制作方法：

（1）在銅板雙面涂上感光膜；

（2）對(duì)銅板上的感光膜曝光顯影形成圖案；

（3）在銅板雙面蝕刻形成再布線(xiàn)；

（4）蝕刻后，在銅板背面貼保護(hù)膜，在銅板正面通過(guò)光刻膠圖形轉(zhuǎn)移形成焊料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述焊料層上設(shè)置第二金屬柱，回流后樹(shù)脂填充，揭保護(hù)膜后切割成半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的單體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述具有柱狀凸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件單體中電極為兩個(gè)以上，每個(gè)所述電極上均設(shè)有絕緣中空柱狀件，兩個(gè)所述絕緣中空柱狀件相互分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的高度為5um～20um。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的內(nèi)徑比所述鈍化層在所述電極上的開(kāi)口小8～20um。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的外徑比所述電極的外徑大8um-200um。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述金屬層包括鈦金屬層和銅金屬層，所述鈦金屬層上設(shè)置所述銅金屬層，所述銅金屬層上設(shè)有第一金屬柱和第二金屬柱。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件扇出倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一金屬柱和所述第二金屬柱均為銅柱。