[發明專利]埋入式字線結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310206507.8
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103855079B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 樸仁鎬;海涅克·拉爾斯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

1.一種埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，包括：

在基底上依序形成第一掩膜層、夾層以及第二掩膜層，其中所述第二掩膜層具有交替排列的多個掩膜圖案與多個間隙，且所述間隙包括交替排列的多個第一間隙與多個第二間隙；

在各第一間隙中形成介電圖案且同時在各第二間隙的二側壁上形成二間隙壁，其中在各第二間隙中相鄰的所述間隙壁之間形成第一溝槽且所述第一溝槽暴露部分所述第一掩膜層；

移除所述掩膜圖案以形成多個第二溝槽；以及

使用所述介電圖案與所述間隙壁作為掩膜來進行蝕刻制程，以使所述第一溝槽加深至所述基底中且所述第二溝槽加深至所述第一掩膜層中。

2.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述第二溝槽比所述第一溝槽寬。

3.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，在所述蝕刻制程之后，還包括：

移除所述介電圖案及所述間隙壁；

移除所述夾層；以及

使用所述第一掩膜層作為掩膜來加深所述第一溝槽與所述第二溝槽。

4.根據權利要求3所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，在加深所述第一溝槽與所述第二溝槽的步驟之后，還包括：

移除所述第一掩膜層；以及

將多個第一導體填入所述第一溝槽中且將多個第二導體填入所述第二溝槽中。

5.根據權利要求4所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述第一導體用作多個隔離字線且所述第二導體用作多個主動字線。

6.根據權利要求5所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，在加深所述第一溝槽與所述第二溝槽的步驟之后且在填入所述第一導體與所述第二導體的步驟之前，還包括形成柵介電層使各主動字線及各隔離字線與所述基底分開。

7.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所 述第二間隙比所述第一間隙寬。

8.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，形成所述介電圖案及所述間隙壁的步驟包括：

在所述基底上形成介電層以完全填滿所述第一間隙，但不完全填滿所述第二間隙；以及

對所述介電層進行間隙壁蝕刻直到所述掩膜圖案的頂表面暴露為止，以使剩余的所述介電層在所述第一間隙中形成所述介電圖案且在所述第二間隙的所述側壁上形成所述間隙壁，其中進行所述間隙壁蝕刻的步驟還移除在所述第二間隙中未被所述間隙壁覆蓋的所述夾層。

9.根據權利要求8所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述介電層的材料包括氧化硅。

10.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層與所述第二掩膜層由相同材料形成。

11.根據權利要求10所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，在移除所述掩膜圖案的步驟期間移除所述第一溝槽所暴露的所述第一掩膜層以及所述第二溝槽所暴露的所述夾層與部分所述第一掩膜層。

12.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述夾層與所述第一掩膜層或所述第二掩膜層不同。

13.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料包括碳。

14.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料包括碳。

15.根據權利要求1所述的埋入式字線結構的形成方法，其特征在于，所述夾層的材料包括氮氧化硅或氮化硅。

16.一種埋入式字線結構，其特征在于，包括：

基底，在所述基底中具有多個第一溝槽與多個第二溝槽，其中所述第一溝槽相較于所述第二溝槽是較窄且較深的；

多個第一導體，分別填入所述第一溝槽中；以及

多個第二導體，分別填入所述第二溝槽中，其中所述第一導體用作多個隔離字線且所述第二導體用作多個主動字線，

其中所述第二導體填滿所述第二溝槽，且所述第一導體的寬度窄于所述第二導體的寬度。