[發明專利]影像感測器及其制作工藝在審
| 申請號: | 201310205544.7 | 申請日: | 2013-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN104218044A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 彭俊宏 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 感測器 及其 制作 工藝 | ||
1.一種影像感測器,包含:
透鏡,用以接收光;
基底,包含一光感測元件于一光感測區,用以接收入射至該透鏡的光;
第一介電層以及第二介電層,由下而上堆疊于該基底上,其中該第二介電層具有一凹槽,該凹槽位于該第一介電層上及于該透鏡以及該光感測元件之間的一光路徑上;以及
彩色濾光片,設置于該凹槽中。
2.如權利要求1所述的影像感測器,其中該基底具有一周邊區,位于該光感測區旁。
3.如權利要求2所述的影像感測器,其中該第一介電層具有對應該周邊區的一金屬內連線結構。
4.如權利要求3所述的影像感測器,還包含:
蝕刻停止層,位于該第一介電層以及該第二介電層之間,以覆蓋該金屬內連線結構但暴露出該第一介電層的一部分,而該部分位于該透鏡以及該光感測元件之間的光路徑上。
5.如權利要求4所述的影像感測器,其中該凹槽暴露出該第一介電層的該部分,因此該彩色濾光片直接設置于該第一介電層上。
6.如權利要求4所述的影像感測器,其中該蝕刻停止層包含氮化層、富硅氧化層、碳化硅層或摻雜碳的氮化硅層。
7.如權利要求1所述的影像感測器,其中該第二介電層包含一堆疊的介電層。
8.如權利要求1所述的影像感測器,還包含:
材料層,位于該透鏡以及該彩色濾光片之間。
9.如權利要求8所述的影像感測器,其中該材料層具有一延伸部,填充該凹槽并接觸該彩色濾光片。
10.如權利要求8所述的影像感測器,其中該材料層包含一透明材料或一光致抗蝕劑。
11.如權利要求1所述的影像感測器,其中該彩色濾光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)~2微米(micrometer,μm)。
12.一種影像感測制作工藝,包含:
提供一基底,包含一光感測元件于一光感測區中;
依序形成一第一介電層以及一第二介電層堆疊于該基底上;
形成一凹槽于該第二介電層中;
形成一彩色濾光片于該第一介電層上的該凹槽中;以及
形成一透鏡于該彩色濾光片的上方,以使該光感測元件接收入射至該透鏡并且通過該彩色濾光片的光。
13.如權利要求12所述的影像感測制作工藝,其中該基底具有一周邊區,位于該光感測區旁。
14.如權利要求13所述的影像感測制作工藝,其中該第一介電層具有對應該周邊區的一金屬內連線結構。
15.如權利要求12所述的影像感測制作工藝,還包含:
形成一蝕刻停止層于該第一介電層以及該第二介電層之間,以覆蓋該金屬內連線結構但暴露出該第一介電層的一部分,而該部分位于該透鏡以及該光感測元件的一光路徑上。
16.如權利要求12所述的影像感測制作工藝,還包含:
形成一蝕刻停止層于該第一介電層以及該第二介電層之間,以停止用以形成該凹槽的一蝕刻制作工藝。
17.如權利要求16所述的影像感測制作工藝,在形成該凹槽之后,還包含:
進行一蝕刻制作工藝,以蝕刻該蝕刻停止層的一部分,而該部分位于該透鏡以及該光感測元件之間的一光路徑上。
18.如權利要求16所述的影像感測制作工藝,其中該蝕刻停止層包含氮化層、富硅氧化層、碳化硅層或摻雜碳的氮化硅層。
19.如權利要求12所述的影像感測制作工藝,在形成該透鏡之前,還包含:
形成一材料層于該彩色濾光片的上方。
20.如權利要求19所述的影像感測制作工藝,其中該材料層具有一延伸部,填充該凹槽并接觸該彩色濾光片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





