[發(fā)明專利]一種氮化鎵圖形襯底的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310203777.3 | 申請日： | 2013-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN104218132A | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 傅華;吳思;蔡金;王輝;王懷兵 | 申請（專利權）人： | 蘇州新納晶光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陸明耀;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 圖形 襯底 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵圖形襯底的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、采用氣相外延生長技術，在氣相外延生長反應室里將襯底進行熱處理，降溫；
步驟二、在襯底上生長一層非晶氮化鎵緩沖層；
步驟三、退火，使襯底表面形成多晶氮化鎵緩沖層；
步驟四、在結晶的氮化物成核層上生長非故意摻雜氮化鎵層；
步驟五、在非故意摻雜氮化鎵層生長N型氮化鎵層；
步驟六、在N型氮化鎵層上進行圖形刻蝕；
其中，所述襯底材料為藍寶石、碳化硅、硅、砷化鎵、氧化鋅中的一種。
2.根據權利要求1所述的一種氮化鎵圖形襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟六中的圖形刻蝕需先將圖形轉移至N型氮化鎵層后，通過光刻工藝或納米壓印方法進行圖形刻蝕。
3.根據權利要求1所述的一種氮化鎵圖形襯底的制備方法，其特征在于：所述圖形刻蝕的圖形為圓形、圓柱、三角錐、子彈頭中的一種，所述圖形尺寸為130nm-4um。
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