[發明專利]一種具有隔離層的復合襯底及其制造方法

有效

• 申請號: 201310201293.5
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103280425A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 陳弘;賈海強;江洋;王文新;馬紫光;王祿;李衛
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種具有隔離層的復合襯底的制造方法，包括：

1）在基底上形成具有露出該基底的開口的第一子隔離層；

2）利用橫向生長法在第一子隔離層和基底上形成半導體材料薄膜構成的種子層；

3）選擇性刻蝕種子層，留下第一子隔離層上的一部分種子層作為種子區；

4）形成覆蓋基底、第一子隔離層和種子區的第二子隔離層；

5）在第二子隔離層中形成開口以暴露出所述種子區的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括步驟6）以所述種子區的至少一部分作為種子，利用橫向生長法在第二子隔離層上生長半導體層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中步驟2）中，所述種子層由多個開口處的基底上開始外延生長，并在兩個開口中間的位置處接合，形成接合區，其中所述種子區不包括所述接合區。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一子隔離層和第二子隔離層由絕緣介質材料構成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一子隔離層和第二子隔離層由金屬材料構成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述基底的材料為藍寶石、Si、SiC、GaAs、InP或Ge。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一子隔離層和第二子隔離層的材料為SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ti₃O₅、ZrO₂、Ta₂O₅、SiN、AlN、鉬、鎳、鉭、鉑、鈦、鎢、鉻中的一種或多種的組合。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體層的材料為GaN、AlGaN、InGaN、GaAs、InGaAs、InGaAlP、Si、Ge或GeSi。

9.一種由根據權利要求1的方法制造的復合襯底，包括：

基底；

基底上的具有開口的第一子隔離層；

第一子隔離層的開口以外的區域上方的種子區；

第二子隔離層，覆蓋第一子隔離層的開口以及至少部分第一子隔離層，且具有至少露出種子區的一部分的開口。

10.根據權利要求9所述的復合襯底，還包括覆蓋第一子隔離層和第二子隔離層的半導體層，該半導體層由種子區的至少一部分通過橫向生長而形成。