[發明專利]具有側面電極的LED芯片及其封裝結構

無效

• 申請號: 201310200107.6
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103296173A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 王冬雷;莊燦陽
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.一種具有側面電極的LED芯片，包括襯底、設于該襯底上的N型層、發光層、P型層及與該N型層導電連接的N電極、與該P型層導電連接的P電極，其特征在于：該N電極的一端沿該N型層的側面延伸至該襯底的一側面；該P型層、該發光層及該N型層的側面設有絕緣層，該P電極的一端沿該絕緣層的側面延伸至該襯底的另一側面。

2.根據權利要求1所述的具有側面電極的LED芯片，其特征在于：所述N電極、該P電極與該襯底的側面之間分別設有一反射層。

3.根據權利要求1所述的具有側面電極的LED芯片，其特征在于：所述P型層上覆蓋有一透明的導電層，該導電層的一端與該P電極相連接。

4.一種封裝結構，包括LED芯片與封裝支架；該LED芯片包括襯底、設于該襯底上的N型層、發光層、P型層及與該N型層導電連接的N電極、與該P型層導電連接的P電極，其特征在于：

該N電極的一端沿該N型層的側面延伸至該襯底的一側面；該P型層、該發光層及該N型層的側面設有絕緣層，該P電極的一端沿該絕緣層的側面延伸至該襯底的另一側面；

該封裝支架上開設有放置該LED芯片的通孔，該LED芯片設于該通孔內，其N電極與P電極側分別設有焊接層，該N電極與P電極分別通過該焊接層與該封裝支架導電連接。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述N電極、該P電極與該襯底的側面之間分別設有一反射層。

6.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述LED芯片的P型層上覆蓋有一透明的導電層，該導電層的一端與該P電極相連接。

7.根據權利要求4或6所述的封裝結構，其特征在于：所述LED芯片的上表面與下表面分別設有封裝層。

8.根據權利要求7所述的封裝結構，其特征在于：所述封裝層為熒光膠、環氧樹脂、透明塑膠或玻璃材質的封裝層。

9.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述封裝支架上的通孔的深度與該LED芯片的厚度一致。

10.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述焊接層為錫層。