[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201310196483.2
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN104175641A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;C23C14/35;C23C14/08;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件（OLED）的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導體是近年來研究最廣泛的透明導電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發光效率，要求透明導電薄膜陽極具有較高的表面功函數。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數一般只有4.3eV，經過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.5～5.1eV，與一般的有機發光層的HOMO能級（典型的為5.7～6.3eV）還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發光效率的提高。

發明內容

基于此，有必要針對導電薄膜功函數較低的問題，提供一種納米線的透明導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。

一種導電薄膜，包括層疊的ZnO:R³⁺層及V₂O₅層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種。

所述ZnO:R³⁺層是納米線結構的導電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm。

所述ZnO:R³⁺層的厚度為50nm～800nm，所述V₂O₅層的厚度為0.5nm～10nm。

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將ZnO:R³⁺靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；

在所述襯底表面濺鍍ZnO:R³⁺層，濺鍍所述ZnO:R³⁺層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，激光的能量為80W～300W，壓強為3Pa～30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，得到負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底；

再將所述負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底和V₂O₅靶材放入蒸鍍設備中，其中，所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述ZnO:R³⁺層表面濺鍍V₂O₅層，濺鍍所述V₂O₅層的工藝參數為：襯底與靶材的間距為45mm～95mm，蒸發溫度為400～950℃，蒸發速率為0.5～5nm/s；及

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。

所述ZnO:R³⁺靶材由以下步驟得到：ZnO:R³⁺靶材由以下步驟得到：將ZnO和R₂O₃粉體按照質量比為（0.5～10）：（90～99.5）混合均勻，其中，R₂O₃為三氧化二鋁、三氧化二鎵及氧化銦中的一種，將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結制成靶材。

一種有機電致發光器件的基底，包括依次層疊的襯底、層疊的ZnO:R³⁺層及V₂O₅層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種。

所述基底中的ZnO:R³⁺層是納米線結構的導電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm。

一種有機電致發光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：

將ZnO:R³⁺靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；