[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201310196483.2
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN104175641A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;C23C14/35;C23C14/08;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種導電薄膜，其特征在于，包括層疊的ZnO:R³⁺層及V₂O₅層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種。

2.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述ZnO:R³⁺層是納米線結構的導電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm。

3.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述ZnO:R³⁺層的厚度為50nm～800nm，所述V₂O₅層的厚度為0.5nm～10nm。

4.一種導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將ZnO:R³⁺靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；

在所述襯底表面濺鍍ZnO:R³⁺層，濺鍍所述ZnO:R³⁺層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，激光的能量為80W～300W，壓強為3Pa～30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，得到負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底；

再將所述負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底和V₂O₅靶材放入蒸鍍設備中，其中，所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa,

在所述ZnO:R³⁺層表面濺鍍V₂O₅層，濺鍍所述V₂O₅層的工藝參數為：襯底與靶材的間距為45mm～95mm，蒸發溫度為400～950℃，蒸發速率為0.5～5nm/s；及

剝離所述襯底得到所述導電薄膜。

5.根據權利要求4所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ZnO:R³⁺靶材由以下步驟得到：將ZnO和R₂O₃粉體按照質量比為（0.5～10）：（90～99.5）混合均勻，其中，R₂O₃為三氧化二鋁、三氧化二鎵及氧化銦中的一種，將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結制成靶材。

6.一種有機電致發光器件的基底，其特征在于，包括依次層疊的襯底、ZnO:R³⁺層及V₂O₅層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的基底，其特征在于，所述基底中的ZnO:R³⁺層是納米線結構的導電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm。