[發明專利]靜電放電保護結構有效
| 申請號： | 201310193679.6 | 申請日： | 2013-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN104183593B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 放電 保護 結構 | ||
1.一種靜電放電保護結構，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底表面并列設置的若干NMOS晶體管，位于所述半導體襯底內的第一連接區和第一N型阱區，所述第一N型阱區位于所述第一連接區和NMOS晶體管之間；
所述第一N型阱區、NMOS晶體管的漏極與靜電放電輸入端相連接，所述NMOS晶體管的源極與接地端相連接，所述第一連接區與NMOS晶體管的柵極相連接；
第二N型阱區，所述第二N型阱區位于相鄰的NMOS晶體管之間；
第二連接區，所述第二連接區位于兩個相鄰NMOS晶體管的源極之間的兩個第二N型阱區和位于所述兩個第二N型阱區之間。
2.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第二N型阱區位于兩個相鄰NMOS晶體管的源極之間。
3.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，每兩個NMOS晶體管之間具有第二N型阱區。
4.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第一N型阱區和第二N型阱區的摻雜深度、摻雜濃度相同。
5.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，還包括，位于所述半導體襯底內的P型阱區，所述NMOS晶體管的源極和漏極位于所述P型阱區內。
6.如權利要求5所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述P型阱區和第一連接區的摻雜深度、摻雜濃度相同。
7.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，還包括：位于所述N型阱區內的第一N型重摻雜區，所述第一N型重摻雜區的摻雜濃度大于N型阱區的摻雜濃度。
8.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，還包括：位于所述第一連接區內的第一P型重摻雜區，所述第一P型重摻雜區的摻雜濃度大于第一連接區的摻雜濃度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
