[發(fā)明專利]用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、沉積裝置和測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310189944.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103668046B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金珉鎬;車裕敏;樸錫煥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/02 | 分類號(hào): | C23C14/02;C23C14/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人: | 張紅霞,周艷玲 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 測(cè)試 沉積 過(guò)程 組件 裝置 方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2012年9月4日遞交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2012-0097799號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各實(shí)施例的各方面涉及一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件、包括掩膜組件的沉積裝置和使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法。
背景技術(shù)
通過(guò)在基底基板上沉積有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料可制造平板顯示器或半導(dǎo)體器件。為此目的,沉積過(guò)程可在沉積裝置中執(zhí)行。沉積裝置可包括真空室、在真空室中的至少一個(gè)沉積源、掩膜和傳送基底基板的傳送單元。可執(zhí)行沉積過(guò)程的測(cè)試,以便在執(zhí)行沉積過(guò)程來(lái)制造平板顯示器或半導(dǎo)體器件之前確定沉積過(guò)程(如在沉積裝置中執(zhí)行)是否適合。測(cè)試基板可被用于測(cè)試該沉積過(guò)程。例如,作為測(cè)試沉積過(guò)程的一部分,可測(cè)量在測(cè)試基板上沉積的材料的厚度和均勻度。為此目的,測(cè)量到的厚度和均勻度可與參考厚度和均勻度進(jìn)行比較。
當(dāng)測(cè)試用于具有多個(gè)沉積源的沉積裝置的沉積過(guò)程時(shí),每個(gè)沉積源用于沉積不同的材料,可需要多個(gè)測(cè)試基板。例如,測(cè)試基板可被順序地裝載到沉積裝置中,并且不同的材料被分別沉積在不同的測(cè)試基板上。可隨后測(cè)量沉積在相應(yīng)測(cè)試基板上的每種沉積材料厚度和均勻度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各實(shí)施例提供一種能夠通過(guò)使用用于多個(gè)沉積源的一個(gè)測(cè)試基板進(jìn)行測(cè)試過(guò)程的掩膜組件。進(jìn)一步的實(shí)施例提供一種包括掩膜組件的沉積裝置,以及使用掩膜組件用于沉積過(guò)程的測(cè)試方法。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例,提供一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件。該掩膜組件包括:支撐構(gòu)件,具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口,同時(shí)支撐基底基板,所經(jīng)過(guò)的沉積材料所述掩膜組件沿第一方向移動(dòng)的同被時(shí)沉積在所述基底基板上;遮擋構(gòu)件,被容納在所述支撐構(gòu)件中,并且具有比所述第一開口小的第二開口;和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件,被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)移動(dòng)所述遮擋構(gòu)件,以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
所述支撐構(gòu)件可包括:具有所述第一開口的底部部分,和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
所述遮擋構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)沿與所述第一方向相反的方向相對(duì)于所述基底基板移動(dòng)。
所述第二開口可沿與所述第一方向基本垂直的第二方向延伸。
所述遮擋構(gòu)件可具有比所述第一開口大的面積,并且可位于所述底部部分上。
所述掩膜組件可進(jìn)一步包括:位于所述底部部分上的軌道單元;和聯(lián)接單元,被聯(lián)接到所述遮擋構(gòu)件并且被插入所述軌道單元中,以便允許所述遮擋構(gòu)件沿所述軌道單元移動(dòng)。
所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。所述遮擋構(gòu)件可被構(gòu)造為根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)。
所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括被構(gòu)造為因摩擦力而旋轉(zhuǎn)的第一小齒輪。
所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可進(jìn)一步包括第二小齒輪,該第二小齒輪被構(gòu)造為從所述第一小齒輪接收動(dòng)力并且接觸所述遮擋構(gòu)件的側(cè)表面。
所述遮擋構(gòu)件可包括鋸齒,該鋸齒在所述遮擋構(gòu)件的所述側(cè)表面上并且被構(gòu)造為嚙合所述第二小齒輪的鋸齒。
所述驅(qū)動(dòng)構(gòu)件可包括交替設(shè)置的N極部分和S極部分,并且可被構(gòu)造為被因磁力而旋轉(zhuǎn)。
根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例,提供一種用于測(cè)試沉積過(guò)程的掩膜組件。該掩膜組件包括支撐構(gòu)件,具有被構(gòu)造為允許沉積材料經(jīng)過(guò)的第一開口,同時(shí)支撐基底基板,所經(jīng)過(guò)的沉積材料在所述掩膜組件移動(dòng)的同時(shí)被沉積在所述基底基板上;遮擋構(gòu)件,被容納在所述支撐構(gòu)件中,并且包括具有比所述第一開口小的第二開口的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件;和驅(qū)動(dòng)構(gòu)件,被構(gòu)造為根據(jù)所述掩膜組件的移動(dòng)來(lái)旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件,以便改變所述第二開口相對(duì)于所述基底基板的位置。
所述支撐構(gòu)件可包括具有所述第一開口的底部部分和從所述底部部分彎曲以便支撐所述基底基板的側(cè)壁。
所述遮擋構(gòu)件可進(jìn)一步包括被聯(lián)接到所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件以便旋轉(zhuǎn)所述可旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軸。
所述第一開口可包括左第一開口和右第一開口。所述遮擋構(gòu)件可包括與所述左第一開口重疊的左遮擋構(gòu)件和與所述右第一開口重疊的右遮擋構(gòu)件。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
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