[發明專利]產生接觸開口的方法和產生自對準接觸結構的方法

有效

• 申請號: 201310187935.0
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號: CN103579095A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 馬丁·佩爾茨爾;海莫·霍費爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;陳偉偉

1.一種產生半導體主體中的接觸開口的方法，所述方法包括：

在半導體主體的主表面上形成多個自對準結構，每個自對準結構均填充在所述半導體主體中形成的溝槽并且在所述主表面上方延伸并延伸到所述主表面上，所述自對準結構中的相鄰自對準結構具有彼此面對的間隔開的側壁；

在所述自對準結構的側壁上形成間隔件層；以及

在所述間隔件層位于所述自對準結構的所述側壁上的同時，在所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間，在所述半導體主體中形成開口，以便每個開口均具有一寬度并具有到鄰近溝槽的側壁的一距離，其與所述間隔件層的厚度對應。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述半導體主體的所述主表面上形成所述自對準結構包括：

形成從所述半導體主體的所述主表面延伸到所述半導體主體中的多個溝槽；

在所述主表面上以及在所述溝槽中形成第一層，所述第一層在所述溝槽之上具有凹入區域；

在所述第一層上形成第二層，所述第二層填充所述第一層的凹入區域；以及

在所述第一和第二層中形成開口，所述開口在所述半導體主體的處于所述溝槽中的相鄰溝槽之間的島區之上延伸至所述主表面。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一層通過HDP沉積形成。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二層包括碳。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述間隔件層通過TEOS沉積形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述間隔件層包括碳。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述自對準結構的所述側壁漸縮。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步基于在所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間在所述半導體主體中形成的開口的預定寬度來確定所述間隔件層的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述間隔件層之前，測量所述自對準結構中相鄰自對準結構之間的距離；以及

基于所測量的距離來確定所述間隔件層的厚度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，通過掃描電子顯微鏡方法來測量所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間的距離。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述半導體主體為半導體晶片的部分，并且在形成所述間隔件層之前，在所述晶片上的不同點處測量相鄰自對準結構之間的多個距離。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

計算所述多個距離的測量值的平均值；以及

基于所計算的平均值來確定所述間隔件層的厚度。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述間隔件層的厚度與所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間的距離的所計算平均值和目標值之間的差相對應。

14.一種產生半導體主體上的自對準接觸結構的方法，所述方法包括：

形成從半導體主體的主表面延伸至所述半導體主體中的多個溝槽；

在所述溝槽的下部部分中形成與所述半導體主體絕緣的導電板；

在所述主表面上以及在所述溝槽中的所述導電板上形成第一材料，所述第一材料具有在所述溝槽上方的凹入區域；

以第二材料填充所述第一材料的所述凹入區域；

在所述第一材料中形成開口，所述開口在所述半導體主體的處于所述溝槽中的相鄰溝槽之間的島區上方延伸至所述主表面，從而形成多個間隔隔開的自對準結構，所述自對準結構包括在所述第一材料的所述凹入區域中的所述第二材料；

在所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間在所述半導體主體中形成凹槽；以及

以具有與所述第一材料和所述第二材料不同的蝕刻選擇性的材料填充所述凹槽和所述自對準結構中的相鄰自對準結構之間的敞開間隙。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述第一材料由HDP沉積形成。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，所述第二材料包含碳。

17.根據權利要求14所述的方法，還包括針對填充所述凹槽和所述敞開間隙的材料而選擇性地去除所述自對準結構。