[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201110211064.2
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN102903667A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3105
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有介質層；

對介質層進行氧氣等離子體處理；

用含碳氣體對介質層進行處理；

在介質層上形成掩膜層；

刻蝕掩膜層和介質層至露出基底，形成通孔。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述含碳氣體包含C₂H₄或C₂H₂。

3.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含碳氣體處理介質層所需的壓力為2～10托，功率為300～1500W，氣體流量為100～2000sccm，處理時間為2s～10s。

4.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述介質層為低k材料，介電常數為2.2～2.9。

5.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述低k材料為SiOCH。

6.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含碳氣體還包含N₂和NH₂。

7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述掩膜層材料為氧化硅。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于：形成所述氧化硅的反應物為TEOS。

9.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于：形成介質層的方法為化學氣相沉積法。

10.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于：刻蝕介質層采用的是干法刻蝕工藝。