[發明專利]半導體芯片和半導體布置

有效

• 申請號: 201310185911.1
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103325783A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: D·奧爾;C·卡布施;G·烏茨;G·措耶爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;B60R21/01
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種半導體芯片，包括：

半導體主體，包括內部區域和圍繞所述內部區域的環形外部區域；

電子結構，單片集成在內部區域中且包括具有第一負載路徑和用于控制所述第一負載路徑的第一控制輸入的可控第一半導體部件；

環形第二半導體部件，單片集成在所述外部區域中且包括第二負載路徑，所述環形第二半導體部件圍繞所述內部區域；

其中所述第一負載路徑和所述第二負載路徑未電并聯連接。

2.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第二電子部件是包括用于控制所述第二負載路徑的第二控制輸入的有源電子部件。

3.權利要求2所述的半導體芯片，其中應用下面的一者或兩者：

所述第一半導體部件和所述第二半導體部件通過它們相應的控制輸入而彼此獨立可控；和/或

所述第一控制輸入和第二控制輸入彼此電絕緣。

4.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第一半導體部件包括選自由場效應晶體管、雙極晶體管和晶閘管構成的組中的部件。

5.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第一半導體部件是：

不包括具有多個晶體管單元的結構的晶體管；或

DMOS晶體管；或

MOSFET；或

IGBT；或

J-FET。

6.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第一半導體部件是包括具有多個第一晶體管單元的第一單元結構的晶體管。

7.權利要求6所述的半導體芯片，其中所述第一晶體管單元電并聯連接。

8.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第二半導體部件包括選自由場效應晶體管、雙極晶體管和晶閘管構成的組中的部件。

9.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第二半導體部件包括選自由MOSFET、IGBT、J-FET和DMOS晶體管構成的組中的部件。

10.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第二半導體部件是包括具有均勻分布于所述外部區域之上的多個第二晶體管單元的單元結構的晶體管。

11.權利要求10所述的半導體芯片，其中所述第二晶體管單元電并聯連接。

12.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述第二半導體部件包括二極管或電阻器。

13.權利要求8所述的半導體芯片，其中：

所述第一半導體部件包括n溝道場效應晶體管；且

所述第二半導體部件包括n溝道場效應晶體管。

14.權利要求1所述的半導體芯片，其中所述環形第二半導體部件形成為閉合或非閉合環。

15.一種半導體芯片，包括半導體主體，該半導體主體包括多個內部區域和數量為N的多個環形外部區域，其中：

內部區域的數量與環形外部區域的數量相同；

每個所述內部區域由所述環形外部區域的相應其他一個圍繞；

在每個所述內部區域中，電子結構被單片集成且包括具有第一負載路徑和用于控制所述第一負載路徑的第一控制輸入的可控第一半導體部件；

對于每個所述內部區域，包括第二負載路徑的環形第二電子部件單片集成在相應的外部區域中且圍繞相應的內部區域；

對于每個所述內部區域和相應的外部區域，所述第一負載路徑和相應的第二負載路徑未電并聯連接。

16.權利要求15所述的半導體芯片，其中每個所述第二電子部件是有源電子部件。

17.權利要求15所述的半導體芯片，其中所述第二電子部件包括用于控制所述第二負載路徑的第二控制輸入。

18.權利要求17所述的半導體芯片，其中應用下面的一者或兩者：

對于每個所述內部區域，相應的第一半導體部件和相應的第二半導體部件能夠通過它們相應的控制輸入而彼此獨立地控制；和/或

對于每個所述內部區域，相應的第一半導體部件和相應的第二半導體部件彼此電絕緣。

19.權利要求15所述的半導體芯片，其中每個所述第一半導體部件和每個第二電子部件包括場效應晶體管。