[發明專利]沉積裝置及使用該裝置的薄膜沉積方法

有效

• 申請號: 201310183635.5
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN103805944B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 任子賢;田炳勛;李寬熙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/54
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,姚志遠

技術領域

本發明涉及沉積裝置及使用該裝置的薄膜沉積方法。

背景技術

平板顯示器或者半導體器件包括沉積在基底基板上的至少一個以上的薄膜。所述薄膜包括：有機物、無機物、或者有機物和無機物的混合物。所述有機物和無機物中，可以分別混合有兩種以上的物質。在沉積裝置內形成所述薄膜。

沉積裝置包括：沉積室；以及提供沉積物質的沉積源。在所述沉積室設置有基底基板，所述沉積源向所述基底基板提供所述沉積物質。

一個沉積裝置形成一種薄膜。為了在所述基底基板上形成另一種薄膜，需要其它的沉積裝置。

發明內容

本發明的一目的在于，提供一種可形成多個薄膜的沉積裝置。

本發明的另一目的在于，提供一種通過所述沉積裝置沉積薄膜的方法。

根據本發明一實施例的沉積裝置包括：沉積室、第一組沉積源以及第二組沉積源。所述沉積室包括：第一等候區域、沉積區域以及第二等候區域。在所述第一等候區域和所述第二等候區域之間可以設置有所述沉積區域。

所述第一組沉積源用于從所述第一等候區域向所述沉積區域移動、并且向設置在所述沉積區域的基底基板提供第一組沉積物質。所述第二組沉積源用于從所述第二等候區域向所述沉積區域移動、并且向所述基底基板提供第二組沉積物質。

所述第一組沉積源和所述第二組沉積源可以用于交替地或同時向所述基底基板提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質。

所述第一組沉積源包括：用于提供第一物質的第一沉積噴嘴部；以及用于提供與所述第一物質不同的第二物質的第二沉積噴嘴部。此時，所述第一組沉積物質是所述第一物質和所述第二物質的混合物。

根據本發明一實施例的沉積裝置還包括：用于移動所述第一組沉積源的第一傳輸部件；以及用于移動所述第二組沉積源的第二傳輸部件。

所述第一傳輸部件和所述第二傳輸部件分別包括：用于收容對應的沉積源的本體部件；以及與所述本體部件連接的驅動部件。通過第一導軌，引導所述第一傳輸部件。所述第一導軌至少從所述第一等候區域延伸至所述沉積區域。通過第二導軌，引導所述第二傳輸部件。所述第二導軌至少從所述第二等候區域延伸至所述沉積區域。

根據本發明一實施例的沉積裝置還包括：保持部件，在所述沉積區域中，與所述沉積室結合，并且固定所述基板。

根據本發明一實施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉積室的所述第一等候區域和所述第二等候區域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源。然后，從所述第一等候區域開始，所述第一組沉積源在所述沉積區域中進行往返。此時，所述第一組沉積源通過排出第一組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積第一薄膜。然后，從所述第二等候區域開始，所述第二組沉積源在所述沉積區域中進行往返。此時，通過排出第二組沉積物質，從而在所述第一薄膜上沉積第二薄膜。

根據本發明一實施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉積室的所述第一等候區域和所述第二等候區域分別設置第一組沉積源和第二組沉積源。然后，所述第一組沉積源從所述第一等候區域向所述第二等候區域移動。然后，從所述第二等候區域開始，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源在所述沉積區域中進行往返的期間，分別排出第一組沉積物質和第二組沉積物質，從而在所述基底基板上沉積薄膜。然后，所述第一組沉積源從所述第二等候區域向所述第一等候區域移動。

根據本發明實施例，所述沉積裝置可以在一個沉積室中形成兩種以上的薄膜。此外，所述沉積裝置可以形成由混合物形成的薄膜。

此外，通過調節所述第一組沉積源和所述第二組沉積源停留在所述沉積室的所述沉積區域中的時間，從而可以分別調節所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度。

此外，所述第一組沉積源和所述第二組沉積源通過在所述沉積室的所述沉積區域內移動、并且分別提供所述第一組沉積物質和所述第二組沉積物質，因此提高了所述第一薄膜和所述第二薄膜的均勻性。

附圖說明

圖1是根據本發明一實施例的沉積裝置的截面圖。

圖2是圖1所示的沉積裝置的平面圖。

圖3a至圖3e是表示根據本發明一實施例的沉積方法的示意圖。

圖4a至圖4e是表示根據本發明一實施例的沉積方法的示意圖。

圖5是根據本發明一實施例的沉積裝置的截面圖。

圖6是圖5所示的沉積裝置的平面圖。

圖7a至圖7e是表示根據本發明一實施例的沉積方法的示意圖。

附圖標記說明

100：沉積室； 100A：第一等候區域；