[發(fā)明專利]晶粒分離裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310183320.0 | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN103268863A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱玉萍;岑剛;朱國璋 | 申請(專利權(quán))人: | 嘉興景焱智能裝備技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;黃燕石 |
| 地址: | 314100 浙江省嘉興市嘉善*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶粒 分離 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路芯片處理技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種晶粒分離裝置。
背景技術(shù)
較早的晶粒由于其顆粒小,底膜薄,針對這類晶粒的分離裝置結(jié)構(gòu)簡單。隨著大規(guī)模集成電路的普及,大顆粒和厚底膜的晶粒的分離要依靠分離裝置來完成。針對晶粒面積較大,現(xiàn)有技術(shù)中使用多針且增加頂出高度的辦法,針對底膜較厚采用加熱軟化的辦法。這兩種方法的結(jié)合雖然較好的解決了膜較厚且?guī)в休^強(qiáng)粘性較大的晶粒的分離,但是同時(shí)也存在很多不可靠的因素。
由于頂針的頂出機(jī)構(gòu)要求速度較高,基本都是采用力限位的凸輪機(jī)構(gòu)(因?yàn)樾拖尬坏耐馆喴_(dá)到此精度很難加工而且運(yùn)動過程中容易卡死),針座下面的連桿在一個(gè)線性滑套(一般為滾珠滑套)中滑動,當(dāng)頂出高度增加時(shí)凸輪在回程(彈簧頂回)中容易卡住,這樣很容易造成底膜被拉破,真空難以吸附,影響分離成功率。加熱裝置大多采用在下方吹熱風(fēng)的方式,溫度不均勻,很難控制,分離的穩(wěn)定性難以保障。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)問題,提供一種晶粒分離裝置,以期通過形限位和力限位相結(jié)合實(shí)現(xiàn)晶粒的快速分離。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
一種晶粒分離裝置,包括機(jī)座、凸輪和頂針,所述凸輪設(shè)置在機(jī)座內(nèi),所述凸輪由步進(jìn)電機(jī)提供動力,所述頂針設(shè)置在所述機(jī)座的頂端,所述頂針的針尖面積小于待分離晶粒的面積,其特征是,所述頂針與所述凸輪之間通過一個(gè)連桿相連接,在所述機(jī)座內(nèi)設(shè)置一個(gè)彈簧座,在所述連桿與所述彈簧座之間設(shè)置一個(gè)推力彈簧,所述連桿通過所述推力彈簧使其產(chǎn)生一個(gè)向上推動頂針的頂力,所述凸輪的側(cè)邊開有凸輪槽,在所述凸輪槽內(nèi)設(shè)置隨動器,所述連桿的下端可轉(zhuǎn)動連接在所述隨動器上,當(dāng)所述隨動器位于凸輪槽的遠(yuǎn)心端時(shí),所述連桿將所述頂針頂出機(jī)座的頂端,當(dāng)所述隨動器位于凸輪槽的近心端時(shí),所述連桿將所述頂針拉回機(jī)座的頂端。
進(jìn)一步,在所述機(jī)座頂端設(shè)有多個(gè)氣孔,所述氣孔通過氣路連接至一個(gè)氣壓裝置,所述氣壓裝置為所述氣孔提供真空或正壓。
進(jìn)一步,所述機(jī)座上部為柱形,在靠近機(jī)座頂端的柱形側(cè)面設(shè)置多個(gè)MOS管加熱。
進(jìn)一步,在所述機(jī)座上靠近其頂端的柱形內(nèi)部設(shè)置溫度傳感器,所述溫度傳感器將溫度信息傳送給控制單元,所述控制單元根據(jù)溫度傳感器的信息控制所述MOS管的加熱量,使所述機(jī)座的頂端保持一個(gè)恒定的溫度。
進(jìn)一步,在所述機(jī)座的頂端的上方設(shè)置晶粒吸嘴。
進(jìn)一步,在所述凸輪的轉(zhuǎn)軸上設(shè)置位置傳感器,所述位置傳感器將頂針的位置信息傳送給控制單元,所述控制單元控制所述晶粒吸嘴在所述頂針位于最高位置時(shí)吸取所述晶粒。
進(jìn)一步,所述頂針為2至4個(gè)。
本發(fā)明的有益效果是:
(1)依靠彈簧力將凸輪隨動器壓緊在型限位凸輪內(nèi)圈上保證運(yùn)動精度,同時(shí)回程靠型限位凸輪外圈卡回,這里型限位凸輪外圈不起精確定位作用,那么型限位凸輪槽與凸輪隨動器之間的間隙可以放大,避免型限位凸輪本身容易卡的缺陷,同時(shí)對凸輪加工精度的要求大大降低,易于實(shí)現(xiàn);
(2)在與晶粒底膜接觸的吸附套管上使用MOS管加熱同時(shí)采用溫度控制模塊來控制實(shí)時(shí)溫度;
(3)通過位置傳感器使吸嘴精確地吸取每個(gè)被分離出來晶粒。
附圖說明
附圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖2為附圖1的A-A剖視圖;
附圖3為晶粒膜吸附于機(jī)座頂端的結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖4為晶粒被頂出后將被吸嘴吸走的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中的標(biāo)記分別為:
1.機(jī)座;?????????????????????????????2.底座;
3.頂座;?????????????????????????????4.凸輪;
5.步進(jìn)電機(jī);?????????????????????6.頂端;
7.頂針;?????????????????????????????8.連桿;
9.彈簧座;??????????????????????????10.推力彈簧;
11.凸輪槽;????????????????????????12.?隨動器;
13.?氣孔;?????????????????????????????14.?MOS加熱管;
15.?溫度傳感器;?????????????????16.?轉(zhuǎn)軸;
17.?位置傳感器;?????????????????18.?吸嘴;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





