[發明專利]一種微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法

有效

• 申請號: 201310182205.1
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN103311131A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 戴風偉;張文奇;于大全
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于，包括：

s1、在半導體基底上形成焊盤；

s2、在焊盤及半導體基底表面形成介質層，所述的介質層上開設有窗口，所述的窗口與焊盤對應；

s3、在介質層及焊盤的表面形成種子層；

s4、在所述種子層表面電鍍形成微凸點；

s5、在微凸點周圍一定距離內的種子層上形成阻擋層,所述的一定距離滿足：經步驟s6的刻蝕后，種子層的端部恰好與微凸點的邊緣對齊或位于微凸點的外部；

s6、刻蝕未被阻擋層覆蓋的種子層；

s7、回流焊料。

2.根據權利要求1所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述的步驟s5具體包括：在微凸點和種子層的表面形成阻擋層，圖形化所述阻擋層，并使得留下的阻擋層至少覆蓋于微凸點周圍一定距離內的種子層上。

3.根據權利要求2所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述圖形化阻擋層采用光刻工藝進行，通過光刻保留微凸點上方的阻擋層以及微凸點周圍一定距離內的阻擋層，此時所述阻擋層的材質為光敏材料，一定距離所述的步驟s7中，還包括去除阻擋層的步驟。

4.根據權利要求2所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述圖形化阻擋層采用干法刻蝕工藝進行，通過干法刻蝕只保留微凸點周圍一定距離內的阻擋層，此時所述阻擋層的材質為聚合物材料。

5.根據權利要求4所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述的聚合物材料為PI或PBO。

6.根據權利要求1所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述的半導體基底上還形成有一層絕緣層，所述的焊盤位于該絕緣層上，所述的絕緣層材質選自氧化硅或碳化硅。

7.根據權利要求1所述的微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的方法，其特征在于：所述的微凸點為銅錫微凸點。

8.一種微凸點制造過程中防止微凸點側向鉆蝕的封裝結構，半導體基底上有一層絕緣層，絕緣層上制備有金屬焊盤，金屬焊盤上電鍍一層種子層，種子層上制備有微凸點，其特征在于：在微凸點周圍的種子層之上覆蓋刻蝕阻擋層，被所述刻蝕阻擋層覆蓋的種子層在經過刻蝕后其端部恰好與微凸點的邊緣對齊或位于微凸點的外部。