[發明專利]電子裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201310174216.5 | 申請日: | 2013-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN103400792A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 許守德;王品凡;劉俊谷;謝易學 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子裝置的制造方法,其特征在于,包含下列步驟:
提供一基板,該基板具有一第一表面;
形成一第一粘著層于該基板的該第一表面上,其中
該第一粘著層上包含有一第一區域與一第二區域,該基板與該第一區域的附著力較該基板與該第二區域的附著力弱;
形成一第一基底層于該第一粘著層上,其中該第一基底層的邊界位于該第二區域中;
形成一電子元件層于該第一基底層上,其中該電子元件層的邊界投影于該第一區域中;
形成一第二粘著層,其中該第二粘著層同時粘附于未被該第一基底層覆蓋的該第一粘著層上,以及未被該電子元件層覆蓋的該第一基底層上,且該第二粘著層的上表面與該電子元件層共同形成一第一固定表面,該第一粘著層與第二粘著層的附著力較該基板與該第一粘著層上的第二區域的附著力強;以及
提供一拉力,將該第一粘著層與該基板完全分離。
2.根據權利要求1所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,該第一粘著層的粘著材料包含一紫外線反應型有機高分子材料或熱反應型有機高分子材料。
3.根據權利要求2所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,形成該第一粘著層的步驟包含:
涂布該粘著材料于該基板的該第一表面,轉印具有一圖案的一光罩于該粘著層上,其中該圖案對應于該第一區域與該第二區域;
以一紫外光處理該光罩,借由使該紫外光照射或不照射該第一或該第二域上的該粘著層,使該第一或該第二區域上的該粘著層具有不同的粘性。
4.根據權利要求1所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,該第二粘著層的上表面具有粘著性,使一固定裝置可固定該第一固定表面。
5.根據權利要求1所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,該固定裝置通過一網版固定該第一固定表面。
6.根據權利要求4或5所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,該固定裝置包含一真空吸附裝置用以吸附并固定該第一固定表面。
7.一種電子裝置,其特征在于,包含:
一基板,該基板具有一第一表面;
一第一粘著層于該基板的該第一表面上,其中
該第一粘著層上包含有一第一區域與一第二區域,該基板與該第一區域的附著力較該基板與該第二區域的附著力弱;
一第一基底層于該第一粘著層上,其中該第一基底層的邊界位于該第二區域中;
一電子元件層于該第一基底層上,其中該電子元件層的邊界投影于該第一區域中;
一第二粘著層,其中該第二粘著層同時粘附于未被該第一基底層覆蓋的該第一粘著層上,以及未被該電子元件層覆蓋的該第一基底層上,該第一粘著層與第二粘著層的附著力較該基板與該第一粘著層上的第二區域的附著力強。
8.一種電子裝置的制造方法,其特征在于,包含下列步驟:
提供一基板,該基板具有一第一表面;
形成一第一粘著層于該基板的該第一表面上,其中
該第一粘著層上包含有一第一區域與一第二區域;該基板與該第一區域的附著力較該基板與該第二區域的附著力弱;
形成一第一基底層于該第一粘著層上,其中該第一基底層的邊界位于該第二區域中;
形成一電子元件層于該第一基底層上,其中該電子元件層的邊界投影于該第一區域中,且該電子元件層包含至少一個的電子元件;以及
形成一第二粘著層于該電子元件層上,該第二粘著層上包含有一第三區域與一第四區域,其中該第三區域的大小及位置相對于該電子元件層的該電子元件作配置,該第四區域的大小及位置相對于該電子元件層的該電子元件以外的區域配置,該第三區域與該電子元件層的附著力較該第四區域與該電子元件層的附著力弱;
提供一拉力將該第一粘著層與該基板分離。
9.根據權利要求8所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,該第二粘著層的粘著材料包含一紫外線反應型有機高分子材料或熱反應型有機高分子材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





