[發明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201310173559.X
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN104157723B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 顏賢成;吳家宏;陳易聰;柯震宇;洪光輝;陳玄芳;歐乃天;黃桂武;童智圣
• 申請（專利權）人: 昱晶能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

(1)提供一半導體基板，其為一第一導電型半導體，且具有一第一表面及一第二表面；

(2)利用一摻質材料于該半導體基板的該第一表面上形成一摻質材料層，令使在該半導體基板的該第一表面內形成一第二型半導體層，且該摻質材料在該半導體基板的該第二表面內形成一摻質溢鍍層，該摻質溢鍍層的該摻質材料于該半導體基板的該第二表面內形成一摻質殘留層；

(3)進行一激光摻雜制程于該摻質材料層，形成多個選擇性射極于該第二型半導體層中；

(4)移除該摻質材料層及該摻質溢鍍層，以暴露具有該些選擇性射極的該第二型半導體層及該摻質殘留層；

(5)移除該摻質殘留層，以暴露該半導體基板的該第二表面；

(6)形成一抗反射層于該第二型半導體層上；以及

(7)形成一電極于該抗反射層中，該電極是接觸該第二型半導體層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第一型半導體為一P型半導體。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在該步驟(1)還包含粗糙化該半導體基板的該第一表面。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第二型半導體層為一N型半導體層。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該摻質材料為三氯氧磷。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該摻質材料層為一磷玻璃層。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(4)的方法包含一濕式蝕刻法。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該濕式蝕刻法是使用氫氟酸移除該摻質材料層及該摻質溢鍍層。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(5)的方法包含至少一酸蝕刻法、至少一堿蝕刻法或其組合。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(5)是先利用一酸溶液酸化該摻質殘留層，接著利用一堿溶液移除酸化的該摻質殘留層，再利用氫氟酸中和該堿溶液。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該酸溶液包含硫酸、硝酸、氫氟酸或其組合。

12.根據權利要求10所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該堿溶液包含氫氧化鉀、氫氧化鈉或其組合。

13.根據權利要求10所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(5)包含一表面處理步驟，利用該堿溶液令使該第二型半導體層的金字塔微結構具有光滑表面。

14.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(6)的方法包含物理氣相沉積或化學氣相沉積。

15.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該抗反射層的材料包含硅氧化合物、硅氮化合物、氧化鋁或碳化硅。

16.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟(7)的方法包含網印法。

17.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該電極的材料包含金屬或透明導電材料。