[發(fā)明專(zhuān)利]航天器表面充放電效應(yīng)防護(hù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310173231.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104144550A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王群勇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京圣濤平試驗(yàn)工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H05F3/02 | 分類(lèi)號(hào): | H05F3/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 韓國(guó)勝 |
| 地址: | 100089 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 航天器 表面 放電 效應(yīng) 防護(hù) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及宇宙航行技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種航天器表面充放電效應(yīng)防護(hù)方法。
背景技術(shù)
航天器在空間環(huán)境運(yùn)行下會(huì)受到周?chē)入x子體、帶電粒子的轟擊,使暴露的外表面的材料出現(xiàn)電荷積累,即為航天器充電(帶電);當(dāng)航天器表面材料積累的電荷與結(jié)構(gòu)地(航天器上的參考地)之間的電位差超出該材料的擊穿閾值時(shí),就發(fā)生靜電放電,即為航天器表面充放電效應(yīng)。如果航天器表面發(fā)生劇烈的放電,則航天器的結(jié)構(gòu)表面會(huì)受到嚴(yán)重破壞,嚴(yán)重影響航天器任務(wù)的完成。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何防止由于航天器表面充放電效應(yīng)對(duì)航天器系統(tǒng)功能的損壞。
(二)技術(shù)方案
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種航天器表面充放電效應(yīng)防護(hù)方法,將航天器的表面材料與結(jié)構(gòu)地連接,并根據(jù)不同類(lèi)別材料,來(lái)設(shè)置所述表面材料相應(yīng)的材料參數(shù)。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述表面材料為導(dǎo)體材料時(shí),其通過(guò)電阻器與結(jié)構(gòu)地連接形成電荷泄放電路;
所述電阻器的阻值要求滿足以下關(guān)系:
R<1.0E+9/A
其中:A為導(dǎo)體暴露表面區(qū)域面積,其單位為每平方厘米。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述表面材料為導(dǎo)電材料時(shí),且設(shè)于與所述結(jié)構(gòu)地連接的導(dǎo)體表面,形成電荷泄放電路;
所述表面材料的電阻系數(shù)與厚度乘積滿足以下關(guān)系:
rt<2×1.0E+9
其中:r為航天器表面材料的電阻系數(shù),單位為歐姆*厘米;t為航天器表面材料的厚度,單位為厘米。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述表面材料為導(dǎo)電材料時(shí),且設(shè)于絕緣體上,所述表面材料連接所述結(jié)構(gòu)地形成電荷泄放電路;
所述表面材料要求其滿足以下關(guān)系:
rh2/t<4×1.0E+9
其中:r為航天器表面材料的電阻系數(shù),單位為歐姆*厘米;
t為航天器表面材料的厚度,單位為厘米;
h為從材料表面到接地點(diǎn)的最大距離,單位為厘米。
(三)有益效果
上述技術(shù)方案提供的一種航天器表面充放電效應(yīng)防護(hù)方法,將航天器的表面材料與結(jié)構(gòu)地連接,并根據(jù)不同類(lèi)別的材料,來(lái)設(shè)置所述表面材料相應(yīng)的材料參數(shù),以達(dá)到防護(hù)目的。具體地,本發(fā)明分別考慮到航天器表面導(dǎo)體材料、應(yīng)用于導(dǎo)體上的導(dǎo)電材料以及應(yīng)用于絕緣體上的導(dǎo)電材料,保證表面材料可導(dǎo)電性的同時(shí)具有泄漏電荷的路徑,使得材料的暴露面積、厚度和表面材料的表面到接地點(diǎn)的最大距離滿足相應(yīng)的設(shè)置要求,避免航天器發(fā)生表面充放電效應(yīng)而導(dǎo)致航天器系統(tǒng)功能的損壞。
附圖說(shuō)明
圖1中的a是本發(fā)明航天器表面充放電效應(yīng)第一種電路泄放徑原理圖;
圖1中的b是本發(fā)明航天器表面充放電效應(yīng)第二種電路泄放徑原理圖;
圖1中的c是本發(fā)明航天器表面充放電效第三種應(yīng)電荷泄放路徑原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明,但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
如圖1所示,本發(fā)明的一種航天器表面充放電效應(yīng)防護(hù)方法,將航天器的表面材料與結(jié)構(gòu)地連接,并根據(jù)不同類(lèi)別的材料,來(lái)設(shè)置相應(yīng)的材料參數(shù),以達(dá)到防護(hù)目的。
具體地,本發(fā)明分別考慮到航天器表面導(dǎo)體材料、應(yīng)用于導(dǎo)體上的導(dǎo)電材料、應(yīng)用于絕緣體上的導(dǎo)電材料,保證表面材料可導(dǎo)電性的同時(shí)具有泄漏電荷的路徑,使得材料的暴露面積、厚度等參數(shù)滿足相應(yīng)的設(shè)置要求,避免航天器發(fā)生表面充放電效應(yīng)而導(dǎo)致航天器系統(tǒng)功能的損壞。其中,本發(fā)明所述的導(dǎo)電材料包括導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料。
如圖1中的a所示,當(dāng)所述表面材料為導(dǎo)體材料時(shí),其通過(guò)電阻器與結(jié)構(gòu)地連接形成電荷泄放電路。該電阻器的電阻系數(shù)要求滿足以下關(guān)系:R<1.0E+9/A,其中:A為導(dǎo)體暴露表面區(qū)域面積,其單位為每平方厘米。
如圖1中的b所示,當(dāng)航天器的表面材料為導(dǎo)電材料時(shí),且應(yīng)用在接地導(dǎo)體表面,將導(dǎo)電材料設(shè)于與結(jié)構(gòu)地連接的導(dǎo)體上,形成電荷泄放電路。具體地,可將該導(dǎo)電材料可通過(guò)涂覆或噴涂等方式在設(shè)于導(dǎo)體表面,這樣,使得作為航天器表面材料的導(dǎo)電材料上所積累的電荷通過(guò)導(dǎo)體與結(jié)構(gòu)地連接形成電荷泄放路徑。應(yīng)用在接地導(dǎo)體的導(dǎo)電材料電阻系數(shù)與厚度乘積滿足以下關(guān)系:rt<2×1.0E+9,其中:r為表面材料的電阻系數(shù),單位為歐姆*厘米;t為材料厚度,單位為厘米。同樣地,作為航天器表面材料的導(dǎo)電材料的電阻系數(shù)不應(yīng)大于(2×1.0E+9)/t;
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