[發明專利]一種氮化鎵器件的加工方法和氮化鎵器件有效
| 申請號： | 201310172945.7 | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN104143592B | 公開（公告）日： | 2017-09-26 |
| 發明（設計）人： | 陳建國;張楓;劉蓬;謝春誠 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 | 代理人： | 孔凡紅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 器件 加工 方法 | ||
1.一種氮化鎵器件的加工方法，其特征在于，該方法包括：
在所述氮化鎵器件的表面墊積一層氧化層，使得所述氮化鎵器件的臺階的側壁上的氧化層與所述氮化鎵器件的表面之間的角度大于90°，所述氧化層的材質為電絕緣材質；
對所述氧化層進行刻蝕，以保留所述氮化鎵器件的臺階的側壁上的氧化層、并去除掉所述臺階的側壁之外的其他部分的氧化層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述氧化層進行刻蝕，以保留所述氮化鎵器件的臺階的側壁上的氧化層、并去除掉所述臺階的側壁之外的其他部分的氧化層之后，進一步包括：
在所述氮化鎵器件的表面墊積一層金屬層；
對所述金屬層進行刻蝕，以保留所述臺階的左右兩側的金屬層、并去除掉所述臺階的前后兩側的金屬層，將所述臺階的左右兩側中一側的金屬層作為所述氮化鎵器件的源極、另一側的金屬層作為所述氮化鎵器件的漏極。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在對所述金屬層進行刻蝕，以保留所述臺階的左右兩側的金屬層，并去除所述臺階的前后兩側的金屬層之后，進一步包括：
在所述氮化鎵器件的表面再次墊積一層金屬層；
對再次墊積的金屬層進行刻蝕，以保留橫跨所述臺階的金屬層、并去除其他部位的金屬層，將橫跨所述臺階的金屬層作為所述氮化鎵器件的柵極。
4.如權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述氧化層的材質為二氧化硅。
5.如權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度不小于所述臺階的厚度。
6.一種氮化鎵器件，其特征在于，所述氮化鎵器件包括臺階、分別位于所述臺階的左右兩側的源極S和漏極D、和橫跨所述臺階的柵極G；以及，
在所述臺階的側壁上墊積有氧化層，使得所述氮化鎵器件的臺階的側壁上的氧化層與所述氮化鎵器件的表面之間的角度大于90°，所述氧化層的材質為電絕緣材質。
7.如權利要求6所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述氧化層的為二氧化硅。
8.如權利要求6或7所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述氧化層的厚度不小于所述臺階的厚度。
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