[發明專利]一種靜電釋放保護電路版圖及集成電路有效

申請號：	201310172827.6	申請日：	2013-05-10
公開（公告）號：	CN104143549B	公開（公告）日：	2017-07-18
發明（設計）人：	程婷;陶永耀	申請（專利權）人：	熠芯(珠海)微電子研究院有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L29/78;H01L29/08
代理公司：	北京同達信恒知識產權代理有限公司11291	代理人：	黃志華
地址：	519000 廣東省珠海市***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種靜電釋放保護電路版圖集成電路
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【權利要求書】：

1.一種靜電釋放保護電路版圖，其特征在于，硅片襯底上布置有金屬氧化物半導體MOS管，所述MOS管的漏端靠近襯底，布置于該MOS管的外側且與焊盤連接；源端布置于該MOS管的內側；所述MOS管以偶數個為一組，同一組中的相鄰兩個MOS管共用一個相同的漏端或源端，且每一組所述MOS管的兩側一定為所述MOS管的漏端；所述漏端到襯底形成寄生二極管；所述寄生二極管用來正向導通泄放靜電釋放電荷。

2.根據權利要求1所述的靜電釋放保護電路版圖，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管或N型MOS管。

3.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路中包含有如權利要求1或2所述的靜電釋放保護電路版圖。

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