[發明專利]瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路

有效

• 申請號: 201310169739.0
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103248033A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 王源;陸光易;曹健;賈嵩;張鋼剛;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路，其特征在于，包括：瞬態觸發模塊、直流電壓觸發模塊以及泄放器件；

所述瞬態觸發模塊，與所述泄放器件相連接，用于根據獲取到的脈沖的上升時間判定所述脈沖是否滿足ESD沖擊的瞬態判定條件，若是，則發送第一響應信號至所述泄放器件，所述第一響應信號用于打開所述泄放器件；

所述直流電壓觸發模塊，與所述瞬態觸發模塊相連接，用于根據所述脈沖的幅值判定所述脈沖是否滿足ESD沖擊的直流電壓判定條件，若是，則發送第二響應信號至所述瞬態觸發模塊，所述瞬態觸發模塊根據所述第二響應信號控制所述泄放器件保持開啟狀態；

所述泄放器件，用于泄放所述脈沖帶來的靜電電荷。

2.根據權利要求1所述的瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路，其特征在于，所述瞬態觸發模塊包括：PMOS晶體管M_p2，NMOS晶體管M_n2與M_fb2,電阻R₂以及電容C，其中，所述PMOS晶體管M_p2的柵極與所述NMOS晶體管M_n2的柵極相連，所述NMOS晶體管M_n2的源級接地，所述NMOS晶體管M_n2的漏極與所述PMOS晶體管M_p2的漏極相連，所述PMOS晶體管M_p2的源級與所述瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路的電源管腳V_DD相連，所述NMOS晶體管M_fb2的源級接地，所述NMOS晶體管M_fb2的漏極與所述PMOS晶體管M_p2的柵極相連，所述電阻R₂的一端與所述瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路的電源管腳V_DD相連，所述電阻R₂的另一端與所述PMOS晶體管M_p2的柵極相連，所述電容C的一端與所述PMOS晶體管M_p2的柵極相連，所述電容C的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路，其特征在于，所述直流電壓觸發模塊包括：PMOS晶體管M_p1，NMOS晶體管M_n1、M_fb1與M_nc,電阻R₁，其中，所述PMOS晶體管M_p1的柵極與所述NMOS晶體管M_n1的柵極相連，所述NMOS晶體管M_n1的源級接地，所述NMOS晶體管M_n1的漏極與所述PMOS晶體管M_p1的漏極相連，所述PMOS晶體管M_p1的源級與所述瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路的電源管腳V_DD相連，所述NMOS晶體管M_fb1的柵極與所述PMOS晶體管M_p1的漏極相連，所述NMOS晶體管M_fb1的柵極還與所述NMOS晶體管M_fb2的柵級相連，所述NMOS晶體管M_fb1的源級接地，所述NMOS晶體管M_fb1的漏極與所述PMOS晶體管M_p1的柵極相連，所述NMOS晶體管M_nc的柵極與所述PMOS晶體管M_p1的柵極相連，所述NMOS晶體管M_nc的源級接地，所述NMOS晶體管M_nc的漏極與所述NMOS晶體管M_nc的柵極相連，所述電阻R₁的一端與所述瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路的電源管腳V_DD相連，所述電阻R₁的另一端與所述NMOS晶體管M_nc的柵極相連。

4.根據權利要求2或3所述的瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路，其特征在于，所述泄放器件為NMOS晶體管M_big，所述NMOS晶體管M_big的柵極與所述PMOS晶體管M_p2的漏極相連，所述NMOS晶體管M_big的源級接地，所述NMOS晶體管M_big的漏極與所述瞬態和直流同步觸發型電源鉗位ESD保護電路的電源管腳V_DD相連。