[發(fā)明專利]一種基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310168596.1
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103236473A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成文;劉文峰;楊曉生
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 馬強(qiáng)

1.一種基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，先在硅片正面生成厚度大于60納米，起保護(hù)作用的氮化硅掩膜；再使用加熱的濃堿液對硅片背面進(jìn)行中度腐蝕，達(dá)到拋光效果；所述濃堿液的堿質(zhì)量濃度在20%-40%，濃堿液溫度控制在40℃-60℃；所述腐蝕的時間為30秒-300秒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，將完成所述中度腐蝕的硅片取出并放入純水中漂洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，將完成所述中度腐蝕的硅片或其后經(jīng)純水中漂洗的硅片放入低濃度的HF溶液中進(jìn)行浸泡，以去除氮化硅掩膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，當(dāng)所述氮化硅掩膜的厚度為60納米—62納米時，所述HF溶液的質(zhì)量濃度為4%—6%，所述浸泡的時間為580秒—620秒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，使用管式PECVD來生成氮化硅掩膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，所述濃堿液為KOH或者NaOH溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于背鈍化太陽能電池制作的背面拋光工藝，其特征在于，所述濃堿液是在水浴中加熱。