[發明專利]一種對溫度不敏感的環形振蕩器的電路的設計有效
| 申請號: | 201310168012.0 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103312266A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 夏同生;楊丕龍;邵立漢;李洪革 | 申請(專利權)人: | 北京航空航天大學 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04 |
| 代理公司: | 北京永創新實專利事務所 11121 | 代理人: | 趙文利 |
| 地址: | 100191*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫度 敏感 環形 振蕩器 電路 設計 | ||
1.一種對溫度不敏感的環形振蕩器的電路的設計,電路包括溫度傳感器(1)、自適應模塊(2)、減法電路(3)、汲取電流式環形振蕩器(4);
溫度傳感器(1)包括NMOS晶體管Ma和PMOS晶體管Mb,Mb的漏極和Ma的漏極相連,Mb的源極接電壓Vdd,Mb的柵極連接直流穩定電壓VBG,Ma的柵極和漏極相連,Ma源極接地,Ma/Mb的漏極輸出電壓Vtemp;
自適應模塊(2)包括NMOS晶體管Mc和PMOS晶體管Md,Md的漏極和Mc的漏極相連,Md的柵極與漏極相連,Md的源極接電壓Vdd;Mc的源極接地,柵極連接溫度傳感器(1)中Ma/Mb的漏極;溫度傳感器(1)的輸出電壓Vtemp通過Mc的柵極輸入,由Mc/Md的漏極輸出,電壓記為Vout;
減法電路(3)具體包括NMOS晶體管M1、NMOS晶體管M2、NMOS晶體管M3、NMOS晶體管M4、NMOS晶體管M5、NMOS晶體管M6、PMOS晶體管M7、PMOS晶體管M8、PMOS晶體管M9、PMOS晶體管M10;
M1和M2的柵極相連,源極接地,其中M1柵極和漏極相連,M1和M2構成鏡像電流源;M3和M4以及M5和M6的源極分別接M1和M2的漏極,M3和M4的柵極分別接直流穩壓輸入VBG1、VBG2,M5的柵極和漏極相連,M6柵極與自適應模塊2的輸出Vout相連,M3、M4、M5、M6的漏極分別和M7、M8、M9、M10的漏極相連;M7、M8、M10的柵極和漏極都相連,M8的柵極和M9的柵極相連,M7~M10的源極都接電壓Vdd;減法電路(3)由M5的漏極輸出Vsub;
汲取電流式環形振蕩器(4)包括PMOS晶體管M11、PMOS晶體管M13、PMOS晶體管M14、PMOS晶體管M17、PMOS晶體管M18、PMOS晶體管M111、PMOS晶體管M112、NMOS晶體管M12、NMOS晶體管M15、NMOS晶體管M16、NMOS晶體管M19、NMOS晶體管M110、NMOS晶體管M113、NMOS晶體管M114;
M11的柵極和漏極相連,源極接電壓Vdd,漏極和M12的漏極相連;M12柵極接減法電路(3)的輸出Vsub,源極接地,漏極與M11的漏極相連;M13~M16作為振蕩環路的一路,M13源極接電壓Vdd,柵極和M11的柵極相連,漏極與M14的源極相連;M14柵極與M15柵極相連,漏極與M15漏極相連,源極接M13的漏極,M14和M15構成一級反相器;M15源極和M16漏極相連;M16柵極接減法電路(3)的輸出Vsub,源極接地;
其他兩路的連接方式與M13~M16的連接相似;M17、M111的連接方式與M13相似,M17、M111的柵極都與M11的柵極相連,漏極分別與M18和M112的源極相連,源極都接Vdd;M18和M19、M112和M113的連接方式與M14和M15相似,M18和M19柵極相連,漏極相連,M112和M113也是柵極相連,漏極相連,振蕩環路M14和M15的柵極與M112和M113漏極相連,輸出電壓Vosci,M18和M19的柵極與M14和M15的漏極相連,M112和M113的柵極與M18和M19的漏極相連;M110、M114的連接方式與M16的相似,M110、M114的柵極都接減法電路(3)的輸出Vsub,源極都接地,漏極分別與M19和M113的漏極相連。
2.根據權利要求1所述的一種對溫度不敏感的環形振蕩器的電路的設計,減法電路(3)中包括兩個對稱的結構,每一個結構內部對稱的MOS器件寬長比都相等。
3.根據權利要求1所述的一種對溫度不敏感的環形振蕩器的電路的設計,直流穩定電壓VBG通過溫度傳感器(1),輸出電壓Vtemp與溫度為線性變化,得到輸出電壓Vtemp與溫度的線性變化曲線,自適應模塊(2)對線性變化曲線的曲線斜率進行調節,達到環形振蕩環路所需要的斜率要求,減法電路(3)對線性變化曲線的截距進行調節,達到環形振蕩環路所需要的截距要求。
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