[發(fā)明專利]SRAM單元中的接觸塞及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310165080.1
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103855097A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L21/768;H01L27/11;H01L23/522
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元的一部分上方形成介電層，所述SRAM單元包括：

第一上拉晶體管和第二上拉晶體管；

第一下拉晶體管和第二下拉晶體管，與所述第一上拉晶體管和所述第二上拉晶體管形成交叉鎖存的反相器；和

第一傳輸門晶體管和第二傳輸門晶體管，分別連接至所述第一上拉晶體管和所述第一下拉晶體管的漏極以及所述第二上拉晶體管和所述第二下拉晶體管的漏極；

在所述介電層上方形成并圖案化第一掩模層；

在所述介電層上方形成第二掩模層；

將所述第一掩模層和所述第二掩模層結(jié)合起來用作蝕刻掩模來蝕刻所述介電層，在所述介電層中形成接觸開口；以及

在所述接觸開口中形成接觸塞。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模層包含選自基本上由基于氧化硅的電介質(zhì)、氮氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅、含碳介電材料、含氮介電材料、有機材料、難熔金屬以及它們的組合所組成的組的材料。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述第二掩模層包含光刻膠，并且所述第二掩模層位于所述第一掩模層上方。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在圖案化所述第一掩模層的步驟之后，所述第一掩模層形成其中具有第一長接觸開口的連續(xù)層，所述第一長接觸開口的長度方向平行于所述SRAM單元的長邊界，并且所述第一長接觸開口的長度大于或者等于所述長邊界的長度。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述連續(xù)層中進一步包含第二長接觸開口，所述第二長接觸開口的長度方向平行于所述SRAM單元的長邊界，并且所述第二長接觸開口的長度小于所述長邊界的長度。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，所述第二長接觸開口延伸到所述SRAM單元的邊界。

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，所述第二長接觸開口未延伸到所述SRAM單元的任何邊界。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在圖案化所述第一掩模層的步驟之后，所述第一掩模層形成彼此分離的島狀件。

9.一種方法，包括：

形成包括多個柵電極和多個有源區(qū)域帶的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元，所述多個有源區(qū)域帶與所述多個柵電極形成晶體管；

在所述多個柵電極和所述多個有源區(qū)域帶上方形成層間電介質(zhì)(ILD)；

在所述ILD上方形成第一掩模層，所述第一硬掩模層覆蓋所述ILD的第一部分，并且通過所述第一掩模層中的開口暴露所述ILD的第二部分；

形成第二掩模層，所述第二掩模層包括填充到所述第一掩模層中的部分開口中的部分；

使用所述第一掩模層和所述第二掩模層作為蝕刻掩模來蝕刻所述ILD以在所述ILD中形成多個接觸開口；以及

在所述多個接觸開口中形成多個接觸塞。

10.一種在非易失性計算機可讀介質(zhì)上實現(xiàn)的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元布局，所述SRAM單元布局包括：

多個柵電極的多個第一布局圖案；

多個鰭線的多個第二布局圖案，所述多個第一布局圖案和所述多個第二布局圖案是以下部件的一部分：

交叉鎖存的反相器，包含第一上拉晶體管和第二上拉晶體管以及第一下拉晶體管和第二下拉晶體管；和

兩個傳輸門晶體管，連接至所述交叉鎖存的反相器；

第一掩模層的多個第三布局圖案；以及

第二掩模層的多個第四布局圖案，其中，所述多個第三布局圖案與所述多個第四布局圖案不重疊的部分包含所述SRAM單元的接觸塞圖案。