[發明專利]加Y提高Mg-Zn-Zr鎂合金電磁屏蔽性能的方法有效
| 申請號: | 201310164376.1 | 申請日: | 2013-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN103233153A | 公開(公告)日: | 2013-08-07 |
| 發明(設計)人: | 陳先華;潘復生;劉娟 | 申請(專利權)人: | 重慶大學 |
| 主分類號: | C22C23/04 | 分類號: | C22C23/04;C22C23/06;H05K9/00 |
| 代理公司: | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人: | 張先蕓 |
| 地址: | 400044 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 mg zn zr 鎂合金 電磁 屏蔽 性能 方法 | ||
技術領域
本發明涉及的是一種加Y提高Mg-Zn-Zr鎂合金電磁屏蔽性能的方法,屬于金屬材料類及冶金領域。
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背景技術
據統計,電磁波向外界輻射的電磁能量正以每年7~14%的速度增加,嚴重加大了電磁環境的負擔,同時給電子電氣設備運行的穩定性,國家政治、經濟、軍事信息維護的安全性,人類身體健康維持的長久性提出了嚴峻的挑戰。因此,有效地治理電磁污染是當今世界各國迫切需要解決的問題。為此,各個國家都制定和頒布了相應的電磁輻射防護標準和規定,明確規定了電磁輻射的最大劑量。目前,電磁屏蔽是解決電磁輻射危害的主要手段之一,屏蔽體對電磁波的衰減程度可用屏蔽效能SE來評估。在日常應用中,當SE小于30dB,可認定屏蔽效果差;SE為30-60dB,屏蔽效果中等,適用于一般工業、商業用電子設備;SE為60-120dB,屏蔽效果優良,適用于軍用精密、靈敏設備。
根據S.A.Schelkunoff電磁屏蔽理論,屏蔽材料對入射電磁波的衰減有三種機制即反射衰減,吸收衰減和屏蔽體內部界面多重反射。反射衰減和吸收衰減與合金的電導率、磁導率密切相關。大量研究發現,具有較高電磁屏蔽性能的材料往往具有良好的電導率或磁導率。目前,金屬材料和高分子復合材料是常用的電磁屏蔽材料。然而,這兩種材料都存在一些不足,如金屬材料銅、鋁等密度較大,加入導電填料的復合材料電導率低、屏蔽性能差、強度低等,從而限制了其廣泛的應用前景。
眾所周知,鎂合金具有密度低,比強度、比剛度高,電導率高,減震性好,可回收等優點,被認為是一種潛在的電磁屏蔽材料。特別是Mg-Zn-Zr變形鎂合金由于其具有較高的強度和適中的塑性而被廣泛使用。然而,目前添加稀土元素對Mg-Zn-Zr鎂合金性能的研究主要集中于力學性能和阻尼性能,電磁屏蔽性能涉及很少。根據本發明的前期研究發現,合金中的化合物能夠顯著影響合金的電磁屏蔽性能。鑒于此,本發明人通過研究添加稀土元素Y來提高合金的電磁屏蔽性能。
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發明內容
本發明的目的是通過添加稀土元素Y提高現有Mg-Zn-Zr鎂合金的電磁屏蔽性能,從而拓寬Mg-Zn-Zr鎂合金的應用領域。
為了實現上述目的,本發明提出一種加Y提高Mg-Zn-Zr鎂合金電磁屏蔽性能的方法,包括熔煉制錠-均勻化-熱擠壓等步驟。
一種加Y提高Mg-Zn-Zr鎂合金電磁屏蔽性能的方法,所述方法通過在Mg-Zn-Zr鎂合金中加入稀土元素Y,改變合金中鋅釔的質量百分比(Zn/Y=1~5)來實現的,合金的組分及質量百分含量為:Zn:4.5~6.0%,Zr:0.8~1.1%,Y:0.3~5.5%,余量為Mg;具體包括以下步驟:
????a)?熔煉制錠:在熔劑保護下,將Mg錠放入坩堝中待熔化后升溫至740~760℃,按所述合金成分配比量加入純Zn錠,Mg-30%Y,Mg-27.85%Zr中間合金;加入方法:將純Zn錠,Mg-30%Y,Mg-27.85%Zr中間合金在140~220℃預熱15~30分鐘,迅速將其壓入液面以下待熔化后攪拌,熔體升溫至750℃時開始精煉5~10分鐘,攪拌合金熔體在730~750℃靜置10~30分鐘,靜置完畢后,打撈熔體表面浮渣,在200~300℃的鐵模內進行澆鑄,澆鑄溫度為710~730℃。
????b)?均勻化:將步驟a)制得的鑄錠在390℃~420℃溫度條件下進行的均勻化處理,保溫時間為20h;
c)?熱擠壓:擠壓前將均勻化處理后的鑄錠在390℃預熱2小時,擠壓溫度為390℃,擠壓比為11.5:1。
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