[發明專利]存儲裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201310163860.2
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103390621A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 林瑄智;黃仁瑞
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

1.一種存儲裝置，其特征在于，包含：

一基材，包含一主動區，該主動區包含一源極區域和一漏極區域；

第一和第二溝渠隔離，相互平行延伸；

多個線形隔離，與該第一和第二溝渠隔離共同界定該主動區；

一第一字元線，延伸通過該主動區，形成于該基材內，靠近該第一溝渠隔離，并與該第一溝渠隔離界定出一第一區段；以及

一第二字元線，延伸通過該主動區，形成于該基材內，靠近該第二溝渠隔離，并與該第二溝渠隔離界定出一第二區段，該第一區段和該第二區段的大小相當。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于該第一或第二溝渠隔離的材料與該多個線形隔離的材料不同。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于該第一或第二溝渠隔離的深度與該多個線形隔離的深度不同。

4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于該第一或第二溝渠隔離包含氮化物。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于該第一或第二溝渠隔離包含氧化物。

6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于該第一溝渠隔離與該第一字元線間的距離相當于該第二溝渠隔離與該第二字元線間的距離。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，還包含一溝槽，其特征在于該溝槽收容該第一或第二溝渠隔離及氧化物材料。

8.根據權利要求7所述的存儲裝置，還包含氮化物材料，其特征在于該氮化物收容于該溝槽，并設置于該氧化物材料上。

9.一種存儲裝置的制備方法，其特征在于，包含下列步驟：

形成一第一層于一基材上，該基材包含多個線形主動區；

形成一第二層于該第一層上；

圖案化該第二層，以形成多個線條和多個第一間隔，該多個線條與該多個線形主動區相交，該多個第一間隔分隔該多個線條；

沈積第一間隔材料在該圖案化的第二層；

填充材料填充于該多個第一間隔；

移除該第一間隔材料，以形成多個開口；

通過該多個開口于該第一層上形成多個第一溝槽；

加深該多個第一溝槽至該基材；

沈積柵極介電材料至加深的該多個第一溝槽；

沈積導電材料至加深的該多個第一溝槽；

形成一隔離結構于各加深的該第一溝槽內，在該導電材料上；

移除該第二層，以露出該多個隔離結構的頂部；

于該多個隔離結構的側壁上形成一第二間隔材料，并界定出多個第二間隔，該多個第二間隔將該多個隔離結構成對地分隔開；

通過該多個第二間隔，形成多個第二溝槽；以及

以絕緣材料填充該多個第二溝槽。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于圖案化該第二層的步驟包含利用一圖案化材料圖案化該第二層的步驟，該圖案化材料包含硅氮氧化物。

11.根據權利要求9所述的制備方法，還包含形成一硅氮氧化物層于該第一層和該第二層之間的步驟。

12.根據權利要求11所述的制備方法，還包含使用該圖案化的第二層圖案化該硅氮氧化物層的步驟。

13.根據權利要求9所述的制備方法，還包含形成一多結晶硅層于該基材和該第一層之間的步驟。

14.根據權利要求13所述的制備方法，還包含通過該多個第二溝槽對該多結晶硅層進行選擇性蝕刻的步驟。

15.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于該第一或第二間隔材料包含氧化物。

16.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于該第一或第二層包含碳和C_xH_y。

17.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于該填充材料包含非晶態硅。

18.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于該絕緣材料包含氮化物。